[发明专利]显示像素结构、阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201710359945.6 申请日: 2017-05-20
公开(公告)号: CN106990634B 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 马亮;叶为平;王聪;廖作敏;夏军 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 430070 湖北省武汉市武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 显示 像素 结构 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示像素结构,包括呈矩阵排列的多个像素单元,每个像素单元包括第一子像素、第二子像素、第三子像素以及第四子像素,每一子像素均包括一TFT开关,其特征在于,所述第一子像素、所述第二子像素与所述第三子像素中任一个的TFT开关的宽/长比与所述第四子像素的TFT开关的宽/长比之间的比值,与所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素中任一个的存储电容与所述第四子像素的存储电容之间的比值相等;或者,所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素中至少两个的TFT开关的宽/长比的平均值与所述第四子像素的TFT开关的宽/长比之间的比值等于所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素中至少两个的存储电容的平均值与所述第四子像素的存储电容之间的比值;其中,每一所述像素单元中的第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素采用两行两列的矩阵方式排列,且所述第四子像素的像素电极小于所述第一子像素、所述第二子像素或所述第三子像素的像素电极,所述第四子像素的像素电极均小于所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的像素电极,且每一所述像素单元中的四个子像素的TFT开关以环绕该像素单元中的所述第四子像素的像素电极的方式一起设置于所述第四子像素中。

2.如权利要求1所述的显示像素结构,其特征在于,所述第一子像素、第二子像素与第三子像素的存储电容均相等,所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素的TFT开关的宽/长比均相同,且所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素中任意一个的TFT开关的宽/长比与所述第四子像素的TFT开关的宽/长比之间的比值,与所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素中任意一个的存储电容与所述第四子像素的存储电容之间的比值相等。

3.如权利要求2所述的显示像素结构,其特征在于,当所述第一子像素、第二子像素、第三子像素的存储电容相同时,所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一个的TFT开关的长度与所述第四子像素的TFT开关的长度相同,所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一个的TFT开关的宽度与所述第四子像素的TFT开关的宽度之间的比值与所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一个的存储电容与所述第四子像素的存储电容之间的比值相等。

4.如权利要求2所述的显示像素结构,其特征在于,当所述第一子像素、第二子像素、第三子像素的存储电容相同时,所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一个的TFT开关的宽度与所述第四子像素的TFT开关的宽度相同,所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一个的TFT开关的长度与所述第四子像素的TFT开关的长度之间的比值与所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一个的存储电容与所述第四子像素的存储电容之间的比值相等。

5.如权利要求2所述的显示像素结构,其特征在于,当所述第一子像素、第二子像素、第三子像素的存储电容相同时,所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一个的TFT开关与所述第四子像素的TFT开关的长度与宽度均不相同,而分别对应于所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一个的TFT开关的宽/长比与所述第四子像素的TFT开关的宽/长比之间的比值与所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一个的存储电容与所述第四子像素的存储电容之间的比值相等。

6.如权利要求1所述的显示像素结构,其特征在于,所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素与所述第四子像素的面积相同。

7.如权利要求1所述的显示像素结构,其特征在于,所述第一子像素、第二子像素、第三子像素分别为红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素中的一种,所述第四子像素为白色子像素或者黄色子像素。

8.如权利要求1-7任一项所述的显示像素结构,其特征在于,所述显示像素结构还包括多条平行设置的栅极线以及多条垂直于所述栅极线设置的数据线,所述栅极线与所述数据线围成所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素以及所述第四子像素。

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