[发明专利]一种矩阵结构液晶显示屏灌晶前清洗工艺

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示屏技术领域，具体涉及一种矩阵结构液晶显示屏灌晶前清洗工艺。

背景技术

现有技术中，TFT、LCD等液晶显示屏在灌晶后常出现灌晶气泡、封口污染、大电流等不良现象，出现上述不良现象原因包括：1、空盒中有水汽、不确定的浑浊气体；2、空盒封口处有导电离子污染。

现有技术中存在通过旋转甩干的技术方案，其工艺步骤包括：用水或溶剂清洗，然后旋转被清洗物，该旋转产生从被清洗物的旋转中心部沿被清洗物的正反面流向外周部的空气流，而使被清洗物干燥。

但是，上述工艺并不能适用于清洗TFT、LCD等液晶显示屏在灌晶前对空盒的清洗，不能去除空盒中的水汽、浑浊气体，也无法去除空盒封口的导电离子污染。

发明内容

本发明旨在提供了一种矩阵结构液晶显示屏灌晶前清洗工艺。

本发明提供如下技术方案：

一种矩阵结构液晶显示屏灌晶前清洗工艺，包括以下步骤：

(1)将矩阵结构液晶显示屏空盒置于真空烤箱的炉腔内，将真空烤箱加温，使真空烤箱的炉腔和液晶显示屏空盒中残留的水汽蒸发，去除残留在液晶显示屏空盒中的水汽；

(2)对真空烤箱的炉腔进行抽真空，将矩阵结构液晶显示屏空盒中的水汽、浑浊气体和封口处的脏物抽出；

(3)向真空烤箱的炉腔充入氮气，氮气充入矩阵结构液晶显示屏空盒中；

(4)再次对真空烤箱的炉腔进行抽真空，将充入到矩阵结构液晶显示屏空盒中的被矩阵结构液晶显示屏空盒中的残余气体污染的氮气抽出；

(5)再次向真空烤箱的炉腔充入氮气，氮气充入矩阵结构液晶显示屏空盒中，从真空烤箱的炉腔取出矩阵结构液晶显示屏空盒，完成清洗工作。

所述步骤(1)中将真空烤箱加温至118℃，加温时间为120min。

所述步骤(3)中氮气的纯度为95-99.99％，充氮气的流量为0.5-1.5L/min。

所述所述步骤(4)中抽真空时间为8-16min，真空度为9-20Pa。

所述步骤(5)中氮气的纯度为95-99.99％，充氮气的流量为0.9-1.2L/min。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过真空烤箱依次对液晶显示屏空盒进行烘烤、一次抽真空、一次充氮气、二次抽真空、二次充氮气，有效清除液晶显示屏空盒中的水汽、浑浊气体和封口处的脏物，清除工作简单方便，易于实现，而且清除彻底，防止液晶显示屏空盒在灌晶后常出现灌晶气泡、封口污染、大电流等不良现象，提高液晶显示屏的产品质量和产品良品率。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一种矩阵结构液晶显示屏灌晶前清洗工艺，包括以下步骤：

(1)将矩阵结构液晶显示屏空盒置于真空烤箱的炉腔内，将真空烤箱加温，使真空烤箱的炉腔和液晶显示屏空盒中残留的水汽蒸发，去除残留在液晶显示屏空盒中的水汽；

(2)对真空烤箱的炉腔进行抽真空，将矩阵结构液晶显示屏空盒中的水汽、浑浊气体和封口处的脏物抽出；

(3)向真空烤箱的炉腔充入氮气，氮气充入矩阵结构液晶显示屏空盒中；

(4)再次对真空烤箱的炉腔进行抽真空，将充入到矩阵结构液晶显示屏空盒中的被矩阵结构液晶显示屏空盒中的残余气体污染的氮气抽出；

(5)再次向真空烤箱的炉腔充入氮气，氮气充入矩阵结构液晶显示屏空盒中，从真空烤箱的炉腔取出矩阵结构液晶显示屏空盒，完成清洗工作。

所述步骤(1)中将真空烤箱加温至118℃，加温时间为120min。

所述步骤(3)中氮气的纯度为95-99.99％，充氮气的流量为0.5-1.5L/min。

所述所述步骤(4)中抽真空时间为8-16min，真空度为9-20Pa。

所述步骤(5)中氮气的纯度为95-99.99％，充氮气的流量为0.9-1.2L/min。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。