[发明专利]一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板

说明书

本发明提供一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板。制作方法包括：在衬底上形成导电层；在所述导电层上形成保护层的图形；以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电层进行等离子体轰击刻蚀，形成导电过渡图形；以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀以形成导电图形，所述导电图形的刻蚀侧面具有坡度；去除所述保护层的图形。在本发明的方案中，先通过等离子体轰击刻蚀导电层，形成导电图形的雏形结构，之后再使用湿法刻蚀进行快速刻蚀，最终形成具有坡度的导电图形，由于整个过程中湿法刻蚀耗时较短，因此不易使导电图形发生过刻蚀现象，从而能够得到完整的导电图形结构，能够提高产品的良品率。

技术领域

本发明涉及导电图形制作领域，特别是一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板。

背景技术

在目前常规的显示面板中，显示基板上设置有各类导电图形(例如信号线、栅极、源极、漏极等)，而导电图形的工艺好坏，可决定信号传输的效率，从而影响显示面板显示画面。

目前，在显示基板制作导电图形的方法是先沉积导电材料层，之后在导电材料层上涂覆光刻胶，通过曝光、显影工艺，使光刻胶形成保护图形，并以保护图形为掩膜，对导电材料层进行湿法刻蚀，使得导电材料层图案化后形成导电图形。

然而，经不断实践发现，现有湿法刻蚀需要较长的刻蚀时间，刻蚀液容易过刻蚀一部分保护图形，使得保护图形难以起到掩膜作用，从而形成如图1所示的导电图形结构。在图1中，被过刻蚀的保护图形100无法提供刻蚀保护，因此最终形成的导电图形200侧向腐蚀严重，从而影响了信号传输，最终导致画面无法得到正常显示。

发明内容

本发明的目的是解决现有的导电图形制作工艺容易对导电图形造成过刻蚀而影响信号传输的问题。

为实现上述目的，一方面，本发明的实施例提供一种导电图形的制作方法，包括：

在衬底上形成导电层；

在所述导电层上形成保护层的图形；

以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电层进行等离子体轰击刻蚀，形成导电过渡图形；

以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀以形成导电图形，所述导电图形的刻蚀侧面具有坡度；

去除所述保护层的图形。

其中，以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电层进行等离子体轰击刻蚀包括：

以所述保护层的图形为掩膜，使用Ar⁺离子对所述导电层进行轰击刻蚀。

其中，以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀形成导电图形包括：

以所述保护层的图形为掩膜，使用刻蚀液浸泡或喷淋导电过渡图形，从而使得所述导电图形的刻蚀侧面的坡度角在预设范围内。

其中，所述预设范围为30°～60°。

其中，所述导电层包括第一导电薄膜和第二导电薄膜，所述第二导电薄膜位于所述第一导电薄膜远离所述衬底的一侧，在对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀时，所述第二导电薄膜被刻蚀的速率大于所述第一导电薄膜被刻蚀的速率。

其中，所述第一导电薄膜和所述第二导电薄膜的同一刻蚀侧面呈升阶的阶梯结构。

其中，所述导电层包括第二导电薄膜、位于所述第二导电薄膜远离所述衬底一侧的第一导电薄膜和位于所述第一导电薄膜远离所述衬底一侧的第二导电薄膜，在对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀时，所述第二导电薄膜被刻蚀的速度大于所述第一导电薄膜被刻蚀的速度。

其中，所述第一导电薄膜的形成材料包括Cu，所述第二导电薄膜的形成材料包括Mo。