[发明专利]用于修复掩模的方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及用于修复掩模的方法。

背景技术

在半导体集成电路(IC)工业中，IC材料和设计的技术进步产生了多代IC，其中，每一代都具有比先前一代更小且更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(即，单位芯片面积中的互连器件的数量)通常在增加，同时几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小组件(或线))减小。这种规模缩小工艺通常通过增加产量效率和降低相关成本来提供很多益处。这样的规模缩小还增大了处理和制造IC的复杂程度。

例如，实施更高分辨率的光刻工艺的需求增长。用于处理这种需求的一种光刻技术是远紫外光刻(EUVL)。EUVL中使用的掩模存在新的挑战。例如，远紫外(EUV)掩模中使用多层结构。EUV掩模的衬底的表面上的微观非平整度(例如，由缺陷导致)可以使随后沉积在上面的多层结构的膜变形，这可以影响对应暴露的图像的质量或完整性。然而，不能够通过标准修复技术来去除EUV掩模的多层的下面或内侧的缺陷。

因此，期望提供改进的掩模修复方法。

发明内容

本发明的实施例提供了一种修复掩模的方法，所述方法包括：检查掩模以定位所述掩模的缺陷的缺陷区域；在成像系统中获取所述缺陷区域的空中影像的相位分布；确定所述成像系统的点扩散函数；基于所述缺陷区域的空中影像的相位分布和所述点扩散函数来确认所述掩模的一个或多个修复区域；以及对所述掩模的一个或多个修复区域执行修复工艺以形成一个或多个修复部件。

本发明的实施例还提供了一种修复掩模的方法，包括：接收图案化的远紫外(EUV)掩模，所述图案化的远紫外掩模包括具有吸收材料的吸收区域、定义主部件的反射区域以及缺陷；确定由所述缺陷导致的并且侵入所述反射区域的缺陷区域；获取所述缺陷区域的图像的相位分布；提供成像系统的点扩散函数；根据所述点扩散函数和所述缺陷区域的图像的相位分布来确定所述吸收区域中的修复区域；以及使用掩模修复工具去除所述修复区域的吸收材料以形成修复部件。

本发明的实施例还提供了一种修复掩模的方法，包括：接收包括印刷部件和缺陷的掩模；检查所述掩模以定位所述缺陷的缺陷区域；确定成像系统的点扩散函数；基于所述点扩散函数和所述缺陷区域来确认所述掩模的修复区域；使用掩模修复工具对所述掩模的修复区域执行修复工艺以形成修复部件；将所述掩模暴露于所述成像系统中的辐射以从所述印刷部件产生第一辐射并且从所述修复部件产生第二辐射；以及使用所述第一辐射和所述第二辐射来暴露目标的光刻胶。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可更好地理解本发明。需要强调的是，根据行业的标准实践，各个部件未按比例绘制，并且仅用于说明目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A、图1B和图1C是根据本发明的一个或多个实施例的用于修复掩模的方法的流程图。

图2A是根据一些实施例的光掩模(或中间掩模或掩模)一部分的顶视图。图2B是根据一些实施例的图2A的掩模的截面图。图2C是根据一些实施例的光掩模(或中间掩模或掩模)一部分的顶视图。

图3A和图3B是根据各个实施例的反射掩模中的示例性缺陷的截面图。

图4示出了根据一个实施例的光掩模的一部分。

图5A示出了根据一个实施例的光掩模的一部分。图5B示出了根据一些实施例的成像系统。

图6A示出了根据一些实施例的成像系统。图6B示出了根据一些实施例的图6A的成像系统的点扩散函数(point spread function)。图6C示出了根据一些实施例的点扩散函数的二维投影。

图7A示出了根据一些实施例的穿过根据成像系统中的点扩散函数的掩模的两个点状开口(point opening)传输的光的幅度分布。图7B示出了根据一些实施例的穿过根据成像系统中的点扩散函数的图7A的两个点状开口中的一个传输的光的幅度分布。

图8A示出了根据一些实施例的穿过根据成像系统中的点扩散函数的掩模的两个点状开口传输的光的幅度分布。图8B示出了根据一些实施例的穿过根据成像系统中的点扩散函数的图8A的两个点状开口中的一个传输的光的幅度分布。

图9A示出了根据一些实施例的穿过根据成像系统中的点扩散函数的掩模的两个点状开口传输的光的幅度分布。图9B示出了根据一些实施例的穿过根据成像系统中的点扩散函数的图9A的两个点状开口中的一个传输的光的幅度分布。