[发明专利]具有石墨烯掩埋散热层和源接地的GaNMMIC器件及制备方法在审
| 申请号： | 201710357170.9 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107170673A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;李百泉;倪炜江;张敬伟;李明山;牛喜平;季莎 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L23/373;H01L29/45;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张永革 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 石墨 掩埋 散热 接地 ganmmic 器件 制备 方法 | ||
1.具有石墨烯掩埋散热层和源接地的GaN MMIC器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）放置衬底，在衬底片上生长一层AlN层；
2）在AlN层上淀积生长一层石墨烯掩埋散热层；
3）在石墨烯掩埋层上依次淀积生长AlN隔离层，GaN缓冲层和沟道层，AlGaN势垒层；
4）再进行GaN和MMIC器件的常规制作工艺；
5）源极旁边刻孔到石墨烯层；用金属将所述源极与石墨烯掩埋散热层相连；
6）整个器件有源区边缘刻蚀露出石墨烯层，并用金属与器件背面相连，并将连接用所述金属烧结到背板和热沉上。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述AlN层厚度为1至100纳米之间。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述石墨烯掩埋散热层厚度为1至100纳米之间。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤6)中用锡金焊膏或纳米银焊膏将连接用所述金属烧结到背板和热沉上。
5.具有石墨烯掩埋散热层和源接地的GaN MMIC器件，包括衬底和依次向上生长的AlN隔离层、GaN缓冲层、沟道层和AlGaN势垒层；其特征在于，所述衬底与所述AlN隔离层还依次生成有AlN层和石墨烯掩埋散热层。
6.如权利要求5所述的GaN MMIC器件，其特征在于，所述石墨烯掩埋散热层与源极通过金属连接。
7.如权利要求5所述的GaN MMIC器件，其特征在于，所述石墨烯掩埋散热层与背板和热沉通过金属连接。
8.如权利要求5所述的GaN MMIC器件，其特征在于，所述GaN MMIC器件由半导体材料GaN外延片或单晶片制成。
9.如权利要求5所述的GaN MMIC器件，其特征在于，所述GaN MMIC器件的衬底由Si，SiC或者蓝宝石中的一种材料制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
