[发明专利]一种单晶提拉炉热场结构在审
| 申请号： | 201710356903.7 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108950677A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 邓先亮 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶提拉炉 热场结构 坩埚 加热器 第一加热器 不均匀 硅单晶 内熔体 炉体 制备 体内 侧面 | ||
1.一种单晶提拉炉热场结构，其特征在于，所述单晶提拉炉热场结构包括：
炉体；
位于所述炉体内的坩埚；
位于所述坩埚侧面的第一加热器；
位于所述坩埚底部的第二加热器；以及
位于所述坩埚内熔体上方的第三加热器，用于抑制固液界面的散热。
2.根据权利要求1所述的单晶提拉炉热场结构，其特征在于，所述第三加热器为环形加热器。
3.根据权利要求2所述的单晶提拉炉热场结构，其特征在于，所述环形加热器的圆心与所述坩埚的中心线重合。
4.根据权利要求2所述的单晶提拉炉热场结构，其特征在于，所述环形加热器的内圆半径为300～400mm。
5.根据权利要求2所述的单晶提拉炉热场结构，其特征在于，所述环形加热器的厚度为20～80mm。
6.根据权利要求1所述的单晶提拉炉热场结构，其特征在于，所述第三加热器与所述坩埚内熔体的垂直距离为0～200mm。
7.根据权利要求1所述的单晶提拉炉热场结构，其特征在于，所述第一加热器的功率为70～110kw，所述第二加热器的功率为10～45kw，所述第三加热器的功率为0～30kw。
8.根据权利要求1所述的单晶提拉炉热场结构，其特征在于，所述第一加热器、第二加热器、及第三加热器均为石墨加热器。
9.根据权利要求1所述的单晶提拉炉热场结构，其特征在于，所述单晶提拉炉热场结构还包括位于所述坩埚上方的热屏，其中，所述第三加热器位于所述热屏内侧。
10.根据权利要求9所述的单晶提拉炉热场结构，其特征在于，所述第三加热器的外侧壁与所述热屏的内侧壁的最小距离为0～100mm。
11.根据权利要求1所述的单晶提拉炉热场结构，其特征在于，所述单晶提拉炉热场结构还包括位于所述坩埚上方的籽晶夹头，以及与所述籽晶夹头连接，用于控制所述籽晶夹头在提拉方向上提升或下降的提拉结构。
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