[发明专利]一种复合钝化层栅场板GaN HEMT元胞结构及器件有效
| 申请号： | 201710356749.3 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107170800B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;杨永江;倪炜江;张敬伟;李明山;牛喜平;胡羽中 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张永革 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 钝化 层栅场板 gan hemt 结构 器件 | ||
1. 一种复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，其特征在于，制作该器件的半导体材料为GaN外延片或单晶片，衬底是Si，SiC或者蓝宝石，器件表面在栅和漏之间的钝化层为复合钝化层，在栅场板底下的钝化层淀积或生长的是Low-K介质层，而栅场板之外的钝化层部分为High-K介质层。
2. 如权利要求1所述的复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，其特征在于，源和漏欧姆接触金属为Ti/Al/Ni/Au 合金或Ti/Al/Ti/Au 合金或Ti/Al/Mo/Au 合金。
3. 如权利要求1所述的复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，其特征在于，所述栅及栅场板金属为Ni/Au 合金或Pt/Au 合金或Pd/Au 合金。
4. 如权利要求1所述的复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，其特征在于，所述High-K介质层为单层或者多层复合结构。
5. 如权利要求1所述的复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，其特征在于，所述High-K介质层的材料是SiO2、SiNx、Al2O3、AlN、HfO2、MgO、Sc2O3、Ga2O3、AlHFOx、HFSiON材料中的一种或任意几种。
6. 如权利要求1所述的复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，其特征在于，所述High-K介质层的厚度在10nm ～ 5000nm 之间；通过等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积或物理气相沉积或者磁控溅镀，在器件接触界面上沉积形成。
7. 如权利要求1所述的复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，其特征在于所述Low-K介质层为单层或者多层复合结构。
8. 如权利要求1所述的复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，其特征在于，所述Low-K介质层的材料是CDO、SiOF、SiCFO、SiCOH 和各种SOD材料（Spin-on-Dielectric）中的一种或任意几种。
9. 如权利要求1所述的复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，其特征在于，所述Low-K介质层厚度在10nm ～ 5000nm 之间；Low-k介质层通过等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积或物理气相沉积或者磁控溅镀或Spin-on，在器件接触界面上沉积或旋涂形成；或者是Air-Gap技术形成的Air-Gap。
10. 如权利要求1所述的复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，其特征在于，所述Low-k介质层先于High-k介质层形成，然后通过光刻定义出需要填充High-K介质的窗口后，腐蚀或者刻蚀掉Low-k介质，再进行High-k介质的沉淀生长；或者先沉积生长High-k介质层后，通过光刻定义出需要填充Low-K介质的窗口，腐蚀或者刻蚀掉High-k介质，再进行Low-k介质的涂布或沉淀生长。
11. 一种GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN HEMT器件采用权利要求1至10中任一项所述的元胞结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京华进创威电子有限公司，未经北京华进创威电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710356749.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可重复使用的夹模器
- 下一篇：硅胶管内孔自撕边模具
- 同类专利
- 专利分类
