[发明专利]显示装置有效

专利信息
申请号: 201710353681.3 申请日: 2017-05-18
公开(公告)号: CN107403869B 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 石井良典;渡部一史;铃村功 申请(专利权)人: 株式会社日本显示器
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;G02F1/1333
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;焦成美
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【说明书】:

本发明涉及显示装置。本发明要解决的课题为改善针对水分的阻隔特性,从而实现可靠性高的有机EL显示装置。本发明的解决手段为一种有机EL显示装置,其特征在于,是在基板(100)上形成TFT、在所述TFT之上形成有机EL层(112)的有机EL显示装置,在所述有机EL层(112)之上形成保护层(114),在所述基板(100)与所述TFT之间形成有包含AlOx的第一阻隔层(10)。

技术领域

本发明涉及显示装置,特别涉及能够使基板弯曲的柔性显示装置。另外,涉及将氧化物半导体用于TFT的柔性显示装置。

背景技术

关于有机EL显示装置、液晶显示装置,通过将显示装置设置的较薄,从而能够将其柔性地弯曲并进行使用。这种情况下,通过薄玻璃或者薄树脂来形成用以形成元件的基板。有机EL显示装置由于不使用背光源,因此在薄型化方面更加有利。

液晶显示装置、有机EL显示装置具有导电层、无机绝缘层、有机绝缘层、半导体层等多层的层结构。若将热膨胀系数不同的层层叠的话,由此会在膜中产生应力,有时在薄膜中产生裂纹、剥离。

专利文献1中记载了为了缓和形成了有机绝缘膜和ITO(氧化铟锡,Indium TinOxide)时的、膜间的应力,而在有机绝缘膜与ITO之间配置SiOx2膜和Cr2O3膜的层叠结构的构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2004-317649号公报

发明内容

为了控制施加至像素的信号,使用TFT(薄膜晶体管,Thin Fim Transistor)。一直以来,TFT中使用了a-Si(Amorphous-Si,无定形硅)、Poly-Si(多晶硅)。另一方面,因为使用了氧化物半导体的TFT的漏电流小,所以能够长期稳定地保持像素电极的电压,因此近年来受到瞩目。但是,氧化物半导体具有不耐受水分、氢的性质。

另一方面,在有机EL显示装置中,构成发光层的有机EL材料由于水分的存在而分解、性能劣化。因而,为了确保工作寿命,需要保护有机EL层使其不受水分的损害。作为针对水分等的阻隔件,一直以来使用了SiOx(本说明书中述及SiOx时,意思是以SiO2为基本结构,一般而言表示偏离化学计量组成(Stoichiometry)x=2)、或者SiNx(本说明书中述及SiNx时,意思是以Si3N4为基本结构,一般而言表示偏离化学计量组成x=4/3)的层叠膜。

但是,就SiOx或者SiNx等而言,针对水分、氢等的阻隔性能不充分。本发明的课题在于,保护TFT、有机EL层不受水分、氢的损害,并实现长寿命的显示装置。

用于解决问题的手段

本发明是克服上述问题的发明,代表性的方案如下所述。

(1)一种有机EL显示装置,其特征在于,为在基板上形成TFT、在所述TFT之上形成有机EL层的有机EL显示装置,在所述有机EL层之上形成保护层,在所述基板与所述TFT之间形成有包含AlOx的第一阻隔层。

(2)(1)中所述的有机EL显示装置,其特征在于,所述第一阻隔层由第一AlOx与第二AlOx的层叠结构形成。

(3)一种液晶显示装置,其特征在于,在第一基板上形成TFT和像素电极,与所述第一基板相对地配置第二基板,在所述第一基板与所述第二基板之间夹持有液晶,

在所述TFT与所述第一基板之间形成有包含AlOx的第一阻隔层。

(4)(3)所述的液晶显示装置,其特征在于,所述第一阻隔层由第一AlOx与第二AlOx的层叠结构形成。

附图说明

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