[发明专利]劈刀结构有效
申请号: | 201710353579.3 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN107275242B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 邱基华 | 申请(专利权)人: | 潮州三环(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 生启 |
地址: | 521000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 劈刀 结构 | ||
1.一种劈刀结构,其特征在于,包括劈刀本体,所述劈刀本体内设置有中心轴线与所述劈刀本体的中心轴线重合、且靠近所述劈刀本体端部的锥形壁,与所述锥形壁同轴设置的内腔壁,及连接所述锥形壁与所述内腔壁的第一弧形过渡壁;所述锥形壁、所述内腔壁和所述第一弧形过渡壁共同围成供焊线通过的过线通孔;所述锥形壁包括靠近所述劈刀本体端部的第二锥壁,与所述第二锥壁同轴连接并位于所述第二锥壁与所述内腔壁之间的第三锥壁,所述第一弧形过渡壁连接所述第三锥壁和所述内腔壁,所述锥形壁还包括连接在所述第二锥壁与所述第三锥壁之间的第二弧形过渡壁,所述第三锥壁与所述内腔壁之间的连接通过所述第一弧形过渡壁平顺过渡;所述第三锥壁和所述第二锥壁之间的连接通过所述第二弧形过渡壁平顺过渡;所述第一弧形过渡壁与所述第二弧形过渡壁的半径相等。
2.根据权利要求1所述的劈刀结构,其特征在于,所述第一弧形过渡壁的半径为R,其中R的取值范围是:2μm≤R≤60μm。
3.根据权利要求2所述的劈刀结构,其特征在于,所述第一弧形过渡壁的半径R的值为30μm≤R≤60μm。
4.根据权利要求3所述的劈刀结构,其特征在于,所述第一弧形过渡壁的半径R的值为50μm。
5.根据权利要求2所述的劈刀结构,其特征在于,所述锥形壁的锥角为r,其中r的取值范围是50°≤r≤150°。
6.根据权利要求5所述的劈刀结构,其特征在于,所述锥形壁的锥角r的值50°。
7.根据权利要求5所述的劈刀结构,其特征在于,所述锥形壁的锥角r的值150°。
8.根据权利要求1所述的劈刀结构,其特征在于,所述第一弧形过渡壁与所述第二弧形过渡壁的半径均为30μm。
9.根据权利要求1所述的劈刀结构,其特征在于,所述劈刀本体的端部设置有外锥壁,所述外锥壁与第一锥壁连接。
10.根据权利要求2所述的劈刀结构,其特征在于,所述第一弧形过渡壁的半径为50μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造