[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体芯片，具有配置有第1金属结构及第2金属结构的主面，上述第2金属结构与上述第1金属结构相邻地配置；

第1金属线，与上述半导体芯片的上述第1金属结构电连接；

第2金属线，与上述半导体芯片的上述第2金属结构电连接；及

密封体，对上述半导体芯片、上述第1金属线及上述第2金属线进行密封，

其中，上述第2金属结构配置于配置上述第1金属结构的层中，

在上述第1金属结构与上述第2金属结构之间形成有绝缘膜，

在上述第1金属结构中，在俯视时，沿着上述第1金属结构的各边连续地形成有第1槽，并且

在上述第2金属结构中，在俯视时，沿着上述第2金属结构的各边连续地形成有第2槽。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

在上述第1槽及上述第2槽中分别形成有上述密封体的一部分。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

在俯视时，上述第1金属结构具有第1表面和第2表面，上述第2表面通过上述第1槽而与上述第1表面分离且配置于上述第1表面周围，

在俯视时，上述第2金属结构具有第3表面和第4表面，上述第4表面通过上述第2槽而与上述第3表面分离且配置于上述第3表面周围，

上述第1表面的一部分及上述第3表面的一部分被上述密封体覆盖且与上述密封体接触，并且

上述第2表面及上述第4表面被上述绝缘膜覆盖且与上述绝缘膜接触。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

在俯视时，上述第1槽及上述第2槽不与上述绝缘膜重合。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

上述第1金属线经由第1金属焊球与上述第1金属结构的上述第1表面电连接，且

上述第2金属线经由第2金属焊球与上述第2金属结构的上述第3表面电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

上述第1金属焊球及上述第2金属焊球分别由金形成，且

上述第1表面及上述第3表面分别由铝形成。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，

上述绝缘膜是氮化硅膜及氧化硅膜中的一者。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，

在上述第1金属结构的上述第1表面上形成有第1探痕，在上述第2金属结构的上述第3表面上形成有第2探痕，且

在俯视时，上述第1表面的上述第1探痕比上述第3表面的上述第2探痕接近上述半导体芯片的外缘部。