[发明专利]电子设备、超声波指纹识别装置及其制造方法

权利要求书

1.一种超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，包括：

在基底层顶部形成具有特定压电应变常数的第一压电层；

在所述第一压电层顶部形成第一平面电极；

在所述第一平面电极顶部形成具有特定压电电压常数的第二压电层；

在所述第二压电层顶部形成第二平面电极；

在所述基底层上形成谐振空腔，并在所述谐振空腔内形成第三平面电极，以形成第一器件；所述第一平面电极、所述第二压电层和所述第二平面电极用于实现超声波发射；所述第三平面电极、所述第一压电层、所述第二压电层和所述第二平面电极用于实现超声波接收；

将所述第一器件与配合的半导体器件进行集成，以形成超声波指纹识别装置。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述基底层顶部形成第一压电层的工艺包括淀积工艺。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一压电层顶部形成第一平面电极，包括：

对所述第一压电层进行图形化，以形成第一接触沟槽；

通过淀积工艺在所述第一压电层顶部形成第一平面电极，并在所述第一接触沟槽内形成第一导电部件。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述基底层顶部形成第二压电层的工艺包括淀积工艺。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二压电层顶部形成第二平面电极的工艺包括淀积工艺。

6.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基底层上形成谐振空腔，并在所述谐振空腔内形成第三平面电极，包括：

将形成所述第二平面电极后所得到的结构垂直翻转；

图形化所述基底层，以形成谐振空腔；

在所述谐振空腔内形成导电层；

图形化所述导电层，以形成彼此绝缘隔离的第三平面电极和第二导电部件；所述第二导电部件的一端与所述第一导电部件电性连接，所述第二导电部件的另一端用于与所述半导体器件的发射电极电性连接；所述第三平面电极用于与所述半导体器件的接收电极电性连接。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述集成的工艺包括晶圆键合工艺。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述第二平面电极顶部形成钝化保护层。

9.如权利要求3或6所述的制造方法，其特征在于，所述图形化通过刻蚀工艺实现。

10.一种通过权利要求1至9任意一项所述的方法制造的超声波指纹识别装置。

11.一种配置有权利要求10所述的超声波指纹识别装置的电子设备。

12.如权利要求11所述的电子设备，其特征在于，其包括移动终端。

13.一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

在基底层顶部形成具有特定压电应变常数的第一压电层；

在所述第一压电层顶部形成第一平面电极；

在所述第一平面电极顶部形成具有特定压电电压常数的第二压电层；

在所述第二压电层顶部形成第二平面电极；

在所述基底层上形成谐振空腔，并在所述谐振空腔内形成第三平面电极，以形成第一器件；所述第一平面电极、所述第二压电层和所述第二平面电极用于实现超声波发射；所述第三平面电极、所述第一压电层、所述第二压电层和所述第二平面电极用于实现超声波接收；

将所述第一器件与配合的半导体器件进行集成，以形成超声波指纹识别装置。