[发明专利]一种少层三氧化钼二维原子晶体纳米片的制备方法和应用

权利要求书

1.一种少层三氧化钼二维原子晶体纳米片的制备方法，其特征在于包括以下具体步骤：

(1)取三氧化钼粉末，在非还原性气氛中加热获得亚毫米以上长度的三氧化钼单晶片；

(2)三氧化钼单晶片转移过程：取三氧化钼单晶片粘贴于胶带上，将胶带对折数次使三氧化钼晶体均匀分布于胶带上，将胶带粘贴于平整衬底表面然后剥离，使三氧化钼晶体均匀的紧贴到衬底上；

(3)将粘附有三氧化钼晶体的衬底浸泡于碱性溶液中一段时间，取出并迅速吹干即可。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤(1)中所述的加热温度为580℃～780℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤(1)中所述的气氛包括干燥空气或惰性气体或低真空环境。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤(2)中所述的衬底为SiO₂，Si，ITO玻璃。

5.根据权利要求1所述的的制备方法，其特征在于：

步骤(2)中所述的三氧化钼单晶片转移过程是用压印方式。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤(3)中所述的碱性溶液为氢氧化钠，氢氧化钾。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤(3)中所述的浸泡时间为8～20s。

8.一种根据权利要求1～7任一项所述的方法制备得到的少层三氧化钼二维原子晶体纳米片。

9.根据权利要求8所述的少层三氧化钼二维原子晶体纳米片，其特征在于：上述晶体的长度为50～100μm，厚度小于7nm；纳米片为十层以下；其导电性随衬底浸泡于碱性溶液的时间的增长而增强。

10.根据权利要求8或9所述的少层三氧化钼二维原子晶体纳米片在光电器件领域的应用。