[发明专利]扇出电路、薄膜晶体管阵列基板及显示面板有效
申请号: | 201710350076.0 | 申请日: | 2017-05-17 |
公开(公告)号: | CN107170755B | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 熊园;刘建欣;柳智忠;王明宗 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 薄膜晶体管 阵列 显示 面板 | ||
一种扇出电路,包括第一扇出线组和第二扇出线组,该第一扇出线组包括设于同一层的第一引线和第二引线,该第二扇出线组包括设置于不同层的第三引线和第四引线。本发明还提供具有该扇出电路的薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示面板。
技术领域
本发明涉及一种扇出电路、薄膜晶体管阵列基板及显示面板。
背景技术
现有的液晶显示技术中,为了达到窄边框设计,在薄膜晶体管阵列基板侧,从设置于非显示区处的栅极芯片引出的扇出线一般采用不同层交错设置,即,其中一部分与显示区的栅极线同层并可以与栅极线直接连接,而与显示区的栅极线位于不同层的扇出线需要在转入显示区时对应设置由透明氧化铟锡材料形成的桥接结构才可将信号传输到栅极线,且与显示区的栅极线同层的扇出线和与显示区的栅极线位于不同层的扇出线采用交替设置的方式从栅极芯片引出。
然而,设置桥接结构之后,其氧化铟锡会因为与彩色滤光片基板侧的氧化铟锡形成电场而发生腐蚀;并且由于现有的屏幕结构的特性,即屏幕的四角具有弧度,比较狭窄,使水汽容易进入显示面板的四角,导致显示面板的四角处的桥接结构的氧化铟锡将最容易先腐蚀。
另一方面,桥接结构由于靠近显示面板的边缘,也容易受到同样涂布于显示面板边缘的框胶的影响而被腐蚀,尤其是位于显示面板的四角处的桥接结构因为会同时受到端部和侧部的胶框的影响而容易被严重腐蚀。由于桥接结构腐蚀,会导致桥接处的电路断开,使信号无法传递到显示区,最终导致点亮的屏幕显示为很多水平的亮暗纹。即,造成显示面板和设有显示面板的电子产品损坏。
发明内容
鉴于以上,有必要提供一种能够减少甚至避免因桥接结构腐蚀而损坏的扇出电路,以及具有该扇出电路的薄膜晶体管阵列基板和显示面板。
一种扇出电路,包括第一扇出线组和第二扇出线组,该第一扇出线组包括设于同一层的第一引线和第二引线,该第二扇出线组包括设置于不同层的第三引线和第四引线。
本发明还提供了具有该扇出电路的薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示面板。
本发明提供的扇出电路、薄膜晶体管阵列基板和显示面板通过将位于显示面板的角落处的扇出线同层设置,无需桥接结构,避免了由于桥接结构腐蚀,桥接处的电路断开,信号无法传递到显示区,使薄膜晶体管阵列基板和设有薄膜晶体管阵列基板的显示面板损坏的问题。
附图说明
图1是本发明提供的薄膜晶体管阵列基板的平面示意图。
图2是图1所示的薄膜晶体管阵列基板的扇出区和显示区的剖视示意图,主要显示临近薄膜晶体管阵列基板的角落处的扇出线的设置情况。
图3是图1所示的薄膜晶体管阵列基板板的扇出区和显示区的剖视示意图,主要显示临近薄膜晶体管阵列基板的边缘中部的扇出线的设置情况。
图4是应用本发明薄膜晶体管阵列基板的较佳实施例的显示面板的剖视示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施方式并参照附图,对本发明进一步详细说明。
(实施方式一)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的