[发明专利]一种优化tRCD参数的方法

说明书

本发明涉及一种回写方法和一种存储器。所述回写方法包括：步骤a:通过第一级灵敏放大器将位线和参考位线之间的电压差放大，之后将经放大的电压差数据传输到局部数据线上；步骤b：将步骤a中经放大的电压差数据从局部数据线送入第二级灵敏放大器，通过第二级灵敏放大器对步骤a中经放大的电压差数据进行放大并锁存；步骤c：将步骤b中经放大并锁存的电压差数据回写到局部数据线上；其中，步骤c发生在列选信号CSL有效时。正确数据的回写阻止了灵敏放大器中的错误翻转，并且还能帮助灵敏放大器很快地把错误翻转的值拉回到正确值上，以消除列选信号开启带来的噪声对位线和参考位线及SA的影响。

技术领域

本发明涉及一种优化tRCD(Time of RAS to CAS Delay)参数的方法。具体而言，本发明涉及一种在读操作的时候进行回写操作以优化tRCD参数的方法。

背景技术

tRCD是动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的一个规定参数，其定义为RAS(行地址选通脉冲)至CAS(列地址选通脉冲)的一个延迟时间，即从ACT(activation)激活操作到内部读写操作的一个延迟时间。当激活操作开始后，会有一根对应地址下的字线(Word Line)被激活，经过tRCD的时间后，内部的读写操作才被允许进行。

然而，由于一些原因(例如使用者违反时序要求的操作，或者存储单元的退化，或者SA的退化等)，如果tRCD没有被重视或者给得不够，则可能会读出一个错误的结果。

另外，也有可能当发生第一个读操作的时候，读出的数据还是正确的，但是由于列选信号CSL在选择相应的列以读出此地址下的数据时所带来的噪声，使得SA中的数据会在第一个读出操作后进行错误的翻转，进而改写存储单元的值，则当再对同一地址进行读操作的时候，就会读出一个被错误翻转的数据。

在进行DRAM测试时，一般会选用比标准更严格的tRCD值以及连续的两个或者更多个的对同一地址的读操作，然而，这会对测试提出更多的要求以及损失更多的良率。

因此，亟需一种解决上述问题的方法。

发明内容

本发明提出了一种在进行读操作时的回写方法，其中正确数据的回写阻止了灵敏放大器中的错误翻转，并且还能帮助灵敏放大器很快地把错误翻转的值拉回到之前的正确值上，以消除列选信号CSL开启带来的噪声对BL和ref_BL以及SA的影响。

根据本发明的一方面，提供了一种在进行读操作时的回写方法包括如下步骤：

步骤a:通过第一级灵敏放大器将位线和参考位线之间的电压差放大，之后将经放大的电压差数据传输到局部数据线上；

步骤b：将步骤a中经放大的电压差数据从局部数据线送入第二级灵敏放大器，通过第二级灵敏放大器对步骤a中经放大的电压差数据进行放大并锁存；

步骤c：将步骤b中经放大并锁存的电压差数据回写到局部数据线上；

其中，步骤c发生在列选信号CSL有效时。

本发明的在进行读操作时的回写方法简单但切实有效并可行，易于实现。此外，本发明的在进行读操作时的回写方法绕开对全局信号线的驱动，加快了回写的速度。

根据本发明的在进行读操作时的回写方法的一个优选实施方案，该回写方法还包括在第一次读操作之前将计数器设置为1，并且在发生步骤c之后将计数器设置为0；其中步骤c发生在计数器为1时。

这样，只回写一次激活操作下的第一个读操作，因为对于之后的在同一激活过程同一WL下的读操作，其tRCD就没有那么关键。

根据本发明的在进行读操作时的回写方法的一个优选实施方案，在步骤b和步骤c之间还包括：

步骤d：第二级灵敏放大器将步骤b中经放大并锁存的电压差数据送到全局数据线上；