[发明专利]LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710349475.5 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107221585A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山;顾伟霞;陈立人;冯猛 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种LED外延结构，其特征在于所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、GaN成核层、N型GaN层、MQW有源层、高能级阻挡层及P型GaN层，其中，所述高能级阻挡层包括AlN层和/或AlN/AlGaN/AlN超晶格层。
2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述高能级阻挡层的厚度范围为10~60nm。
3.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述高能级阻挡层的厚度范围为20~40nm。
4.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，当所述高能级阻挡层为AlN/AlGaN/AlN超晶格层时，所述高能级阻挡层的Al含量范围为20%~30%。
5.一种LED外延结构的制备方法，其特征在于包括步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上生长GaN成核层；
在所述GaN成核层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长MQW有源层；
在所述MQW有源层上生长高能级阻挡层，所述高能级阻挡层包括AlN层和/或AlN/AlGaN/AlN超晶格层；
在所述高能级阻挡层上生长P型GaN层。
6.根据权利要求5所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述高能级阻挡层的厚度范围为10~60nm。
7.根据权利要求6所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述高能级阻挡层的厚度范围为20~40nm。
8.根据权利要求5所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，当所述高能级阻挡层为AlN/AlGaN/AlN超晶格层时，所述高能级阻挡层的Al含量范围为20%~30%。
9.根据权利要求5所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述高能级阻挡层的生长温度范围为700~900℃，其生长压力范围为50~300torr。
10.根据权利要求9所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述高能级阻挡层的生长温度为800℃，其生长压力为100torr。
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