[发明专利]SoC芯片局域磁屏蔽封装方法以及SoC芯片局域磁屏蔽封装件

权利要求书

1.一种SoC芯片局域磁屏蔽封装方法，其特征在于包括：形成SoC裸芯片，其中所述SoC裸芯片中形成有MRAM功能模块和非MRAM功能模块；在SoC裸芯片的背面形成第一凹槽，所述第一凹槽区域在从正面到背面的方向上覆盖MRAM功能模块，而且在SoC裸芯片的正面在MRAM功能模块四周形成第二环形凹槽；在第一凹槽中填充磁屏蔽材料，而且在SoC裸芯片的正面的局部区域上形成磁屏蔽材料以使得磁屏蔽材料完全覆盖MRAM功能模块和第二环形凹槽，而且磁屏蔽材料在从正面到背面的方向上与非MRAM功能模块不重叠；将形成磁屏蔽材料的SoC裸芯片粘贴在焊盘底板上，形成芯片引线键合，并且形成芯片整体封装结构。

2.如权利要求1所述的SoC芯片局域磁屏蔽封装方法，其特征在于，在从正面到背面的方向上，第一凹槽与非MRAM功能模块不重叠，第二环形凹槽的包围区域与非MRAM功能模块不重叠。

3.如权利要求1或2所述的SoC芯片局域磁屏蔽封装方法，其特征在于，在SoC裸芯片的背面形成第一凹槽包括：在芯片正面和背面形成第一光刻胶，并且经过光刻胶曝光显影后产生第一光刻胶的相应凹槽图案，然后用利用形成凹槽图案的第一光刻胶来刻蚀SoC裸芯片以在SoC裸芯片的背面形成第一凹槽。

4.如权利要求3所述的SoC芯片局域磁屏蔽封装方法，其特征在于，在SoC裸芯片的正面在MRAM功能模块四周形成第二环形凹槽包括：在芯片正面和背面形成第二光刻胶，并且经过光刻胶曝光显影后产生第二光刻胶的相应凹槽图案，然后用利用形成凹槽图案的第二光刻胶来刻蚀SoC裸芯片以在SoC裸芯片的正面形成第二环形凹槽。

5.如权利要求4所述的SoC芯片局域磁屏蔽封装方法，其特征在于，在第一凹槽中填充磁屏蔽材料而且在SoC裸芯片的正面的局部区域上形成磁屏蔽材料包括：采用化学电镀或者磁控溅射的方法，在被第一光刻胶和第二光刻胶覆盖的SoC裸芯片的正面和背面沉积磁屏蔽材料，随后将第一光刻胶和第二光刻胶去除，在SoC裸芯片的正面的局部区域上形成磁屏蔽材料，而且在第二环形凹槽中留下磁屏蔽材料。

6.如权利要求1或2所述的SoC芯片局域磁屏蔽封装方法，其特征在于，第一凹槽和第二环形凹槽的深度和尺寸被控制为不破坏SoC裸芯片的内部互联线路。

7.如权利要求1或2所述的SoC芯片局域磁屏蔽封装方法，其特征在于，磁屏蔽材料是高磁导率顺磁性合金材料。

8.如权利要求7所述的SoC芯片局域磁屏蔽封装方法，其特征在于，磁屏蔽材料主要成分是μ合金，镍组分70％-80％，铁组分10％-20％，铜组分0-10％，铬组分0-5％。

9.如权利要求1或2所述的SoC芯片局域磁屏蔽封装方法，其特征在于，磁屏蔽材料是通过下述步骤制造而成的材料：在塑封料中加入四氧化三铁粉末状颗粒，并且将混合材料搅拌均匀，使得磁性颗粒和塑封料溶剂充分混合。

10.一种SoC芯片局域磁屏蔽封装件，其特征在于包括：

SoC裸芯片，其中所述SoC裸芯片中形成有MRAM功能模块和非MRAM功能模块；在SoC裸芯片的背面形成有第一凹槽，所述第一凹槽区域在从正面到背面的方向上覆盖MRAM功能模块，而且在SoC裸芯片的正面在MRAM功能模块四周形成有第二环形凹槽；在第一凹槽中填充有磁屏蔽材料，而且在SoC裸芯片的正面的局部区域上形成有磁屏蔽材料，其中磁屏蔽材料完全覆盖MRAM功能模块和第二环形凹槽，而且磁屏蔽材料在从正面到背面的方向上与非MRAM功能模块不重叠；焊盘底板，其中形成有磁屏蔽材料的SoC裸芯片粘贴在焊盘底板上；覆盖形成有磁屏蔽材料的SoC裸芯片的芯片整体封装结构。