[发明专利]一种以全氟代亚苯基为核心的OLED光电材料及其应用

说明书

本发明涉及一种以全氟代亚苯基为核心的OLED光电材料及其应用，具有如式Ⅰ所示的分子结构：本发明提供的OLED光电材料的有益效果是：该类材料通过在全氟代亚苯基的基础上引入强吸电子的丙二腈和其他具有强吸电子能力的芳基基团，将该类材料作为OLED器件中空穴传输层的掺杂材料使用后，在工作过程中设置较低的电压就可以获得足够的发光亮度，因而能够大大提高OLED器件发光效率及寿命。

技术领域

本发明涉及一种OLED光电材料及其应用，尤其涉及一种以全氟代亚苯基为核心的OLED光电材料及其应用。

背景技术

近年来，一些用于OLED器件的光电材料已日益为人所知，众所周知芳香二胺衍生物在OLED器件中作为空穴传输材料，使用该类材料时，需要提高器件施加电压以获得足够的发光亮度，这就造成器件寿命的缩短，并增加了耗电量。为解决这些问题，通过掺杂电子受体化合物可以使OLED器件中空穴注入和空穴传输得到显著改善(文献：He Gufeng，Appl.Phys.lett.85(2004)3911-3913)。在同样的发光效率下，其电子受体化合物的加入可以较大幅度的降低OLED器件工作电压。强的电子受体化合物诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟代-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4TCNQ)。

对于现有的通过掺杂电子受体化合物来改善空穴传输的方法(即P掺杂)，所用材料的物理性质在升华纯化或真空蒸镀过程中是存在问题的，其中涉及蒸发性极难控制的氟化的四氰基苯醌二甲烷(TCNQ或F4TCNQ)，由于其分子量较小，升华过程中很容易扩散至设备中，导致污染设备或器件，以至于这类掺杂剂不能用于批量生产装置中。

目前，关于P型掺杂材料的研究及相关报道在国内、国际都不多，在这方面的研究急需进一步加强。

发明内容

本发明针对OLED器件的空穴传输层中现有的P型掺杂材料存在的不足，提供一种以全氟代亚苯基为核心的OLED光电材料及其应用。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

一种以全氟代亚苯基为核心的OLED光电材料，其特征在于，具有如式Ⅰ所示的分子结构：

其中，所述Ar表示式Ⅱ所示的基团：

式Ⅱ中所述的R₁-R₅独立的选自氯、氟、硝基、三氟甲基、异硫氰基或氰基中的任意一种。

进一步，其具有如下所示的分子结构：

本发明提供的OLED光电材料的有益效果是：

1)该类材料通过在全氟代亚苯基的基础上引入强吸电子的丙二腈和其他具有强吸电子能力的芳基基团，将该类材料作为OLED器件中空穴传输层的掺杂材料使用后，在工作过程中设置较低的电压就可以获得足够的发光亮度，因而能够大大提高OLED器件发光效率及寿命。

2)该类材料表现出较高的热稳定性和玻璃化转变温度，容易形成良好的无定形薄膜，高温真空蒸镀过程中控制性强。

上述OLED光电材料的合成路线如下：

具体反应过程为：芳基酮化合物与丙二腈在氮气或惰性气体保护下，以氯化锌、氯化钙、氢化锂、碳酸钾或碳酸铯提供碱性环境，在50～100℃的条件下反应1-5小时。

以上反应原料物质及提供碱性环境的物质均为本技术领域常用物质或市售可得物质。

本发明还要求保护功能层中包含上述OLED光电材料的有机电致发光器件。