[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括设置在基底上的栅电极和覆盖所述栅电极的栅绝缘层，其特征在于，还包括依次叠设在所述栅电极远离基底的表面上的第一电极、有源层和第二电极；所述第一电极与有源层两者的图案相同，即所述第一电极在基底上的正投影与有源层在基底上的正投影完全相同；或者，所述第二电极与有源层两者的图案相同，即所述第二电极在基底上的正投影与有源层在基底上的正投影完全相同；第一电极、有源层和第二电极在基底上的正投影范围位于栅电极在基底上的正投影范围之内，所述栅电极在基底上正投影的宽度是第一电极或第二电极在基底上正投影的宽度的1.2～1.3倍。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述依次叠设在所述栅电极远离基底的表面上的第一电极、有源层和第二电极包括：所述第一电极设置在栅绝缘层上，所述有源层设置在第一电极上，所述第二电极设置在有源层上，依次叠设的第一电极、有源层和第二电极形成垂直沟道结构。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料包括多晶硅或金属氧化物，厚度为2000～8000埃。

4.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成栅电极和栅绝缘层；

在栅绝缘层上形成依次叠设在所述栅电极远离基底的表面上的第一电极、有源层和第二电极；所述第一电极与有源层两者的图案相同，即所述第一电极在基底上的正投影与有源层在基底上的正投影完全相同；或者，所述第二电极与有源层两者的图案相同，即所述第二电极在基底上的正投影与有源层在基底上的正投影完全相同；第一电极、有源层和第二电极在基底上的正投影范围位于栅电极在基底上的正投影范围之内，所述栅电极在基底上正投影的宽度是第一电极或第二电极在基底上正投影的宽度的1.2～1.3倍。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在栅绝缘层上形成依次叠设在所述栅电极远离基底的表面上的第一电极、有源层和第二电极，包括：

通过构图工艺在栅绝缘层上形成第一电极；通过构图工艺在第一电极上形成有源层；通过构图工艺在有源层上形成第二电极。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在栅绝缘层上形成依次叠设在所述栅电极远离基底的表面上的第一电极、有源层和第二电极，包括：

通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺在栅绝缘层上形成叠设的第一电极和有源层；通过构图工艺在有源层上形成第二电极。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在栅绝缘层上形成依次叠设在所述栅电极远离基底的表面上的第一电极、有源层和第二电极，包括：

通过构图工艺在栅绝缘层上形成第一电极；通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺在第一电极上形成叠设的有源层和第二电极。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述有源层的材料包括多晶硅或金属氧化物，厚度为2000～8000埃。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括栅线、数据线、像素电极和如权利要求1～3任一所述的薄膜晶体管，所述栅线与所述薄膜晶体管的栅电极连接，所述像素电极与所述薄膜晶体管的第二电极连接，所述数据线在基底上的正投影与所述栅电极在基底上的正投影具有重叠区域，所述重叠区域对应的数据线部分作为薄膜晶体管的第一电极。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。