[发明专利]一种发光二极管芯片的制备方法和光转换装置

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一待划裂的芯片，所述芯片包括蓝宝石衬底以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层、透明导电层和P型电极，所述P型半导体层上开设有从所述P型半导体层沿所述芯片的层叠方向延伸到所述N型半导体层的凹槽，所述凹槽内的所述N型半导体层上设有N型电极；

沿垂直于所述芯片的层叠方向的直线方向移动所述芯片，并提供第一脉冲光束，控制所述第一脉冲光束沿所述芯片的层叠方向穿过所述蓝宝石衬底，以使所述第一脉冲光束在每次照射所述蓝宝石衬底时形成面状划痕，所述第一脉冲光束在平行于所述蓝宝石衬底的设有所述N型半导体层的表面的截面的面积，沿所述第一脉冲光束的照射方向先减小再增大，所述截面在面积为最小值时为一条与所述直线方向平行的线段，所述线段的长度大于所述芯片在所述第一脉冲光束相邻两次照射所述蓝宝石衬底之间时移动的距离；

沿所述面状划痕劈裂所述蓝宝石衬底，形成相互独立的芯片。

2.根据权利要求1所述发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述提供第一脉冲光束，包括：

利用透镜组将激光器射出的第二脉冲光束发散成第三脉冲光束，所述第二脉冲光束和所述第三脉冲光束在平行于所述蓝宝石衬底的设有所述N型半导体层的表面的截面均为面积保持不变的圆形，且所述第二脉冲光束的截面面积小于所述第三脉冲光束的截面面积；

利用过滤板将所述第三脉冲光束截取成第四脉冲光束，所述第四脉冲光束在平行于所述蓝宝石衬底的设有所述N型半导体层的表面的截面为面积保持不变的矩形；

利用柱透镜组将所述第四脉冲光束聚集成所述第一脉冲光束。

3.根据权利要求2所述发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述提供第一脉冲光束，还包括：

在利用所述透镜组将所述第二脉冲光束发散之后，利用平行光校准仪器将发散的所述第二脉冲光束中筛选出相互平行的光线，形成所述第三脉冲光束。

4.根据权利要求1～3任一项所述发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述第一脉冲光束中各条光线之间的最大夹角为30°～35°。

5.根据权利要求1～3任一项所述发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述线段与所述第一脉冲光束射入的所述蓝宝石衬底的表面之间的距离，大于或等于所述蓝宝石衬底的厚度的1/3，且小于所述蓝宝石衬底的厚度的1/2，所述蓝宝石衬底的厚度为所述第一脉冲光束射入的所述蓝宝石衬底的表面与所述第一脉冲光束射出的所述蓝宝石衬底的表面之间的距离。

6.根据权利要求5所述发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述线段与所述第一脉冲光束射入所述蓝宝石衬底的表面之间的距离为40～60微米。

7.根据权利要求1～3任一项所述发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述线段的长度为18～22微米。

8.根据权利要求1～3任一项所述发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述第一脉冲光束为红外光束。