[发明专利]基于双层结构阴极界面层的聚合物太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种基于双层结构阴极界面层的聚合物太阳电池，包括倒装结构或常规结构的聚合物太阳电池中的阴极界面层，其特征在于：所述阴极界面层是由阴极界面层1和阴极界面层2叠加组成的双层结构；所述阴极界面层1的材料为水溶性聚合物，所述水溶性聚合物分子式具有如下结构：

其中：

R₁＝H或CH₃，R₂＝ONa或

Z-为卤素离子，x＝0-0.5，y＝0.5-1，x+y＝1，m＝1-6，n＝100-100000；所述阴极界面层2的材料为醇溶性聚合物，所述醇溶性聚合物为分子式侧链带有极性基团、主链单元含芴或咔唑的共轭聚合物。

2.根据权利要求1所述的聚合物太阳电池，还包括光活性层，其特征在于：所述阴极界面层2与所述光活性层相邻，所述阴极界面层1与所述阴极界面层2相邻。

3.根据权利要求1所述的聚合物太阳电池，还包括光活性层，其特征在于：所述阴极界面层1与所述光活性层相邻，所述阴极界面层2与所述阴极界面层1相邻。

4.一种基于双层结构阴极界面层的聚合物太阳电池的制备方法，所述方法包括：

(1)制备具有如下分子式结构的水溶性聚合物：

其中：

R₁＝H或CH₃，R₂＝ONa或

Z-为卤素离子，x＝0-0.5，y＝0.5-1，x+y＝1，m＝1-6，n＝100-100000；

(2)制备分子式侧链带有极性基团、主链单元含芴或咔唑的醇溶性聚合物；

(3)参照现有工艺，将所述水溶性聚合物旋涂于ITO阴极上形成阴极界面层1，将所述醇溶性聚合物旋涂于阴极界面层1上形成阴极界面层2，在阴极界面层2上制备光活性层，在光活性层上制备阳极界面层和阳极；或者将ITO作为阳极，在ITO阳极上制备光活性层，之后在光活性层上依次制备阴极界面层1和阴极界面层2，然后在阴极界面层2上制备阴极。