[发明专利]一种控制芯片位错的方法

权利要求书

1.一种控制芯片位错的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

(a)将待处理芯片的基圆划分为核心区、过渡区和边缘区，其中，所述核心区是以所述待处理芯片的基圆圆心为中心的区域，所述过渡区包围在所述核心区外，且介于所述核心区和所述边缘区之间；

(b)分别加热所述核心区和边缘区，然后将所述待处理芯片退火，其中，所述核心区的加热温度高于所述边缘区使得产生位错的空位和氧的间隙原子扩散至所述边缘区，从而完成所述待处理芯片的处理。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述核心区是与所述待处理芯片的基圆同心的直径为d1的圆形区域，所述待处理芯片的基圆直径为D，所述过渡区是与所述基圆同心，直径为d2的圆减去所述核心区的圆环区域，d1与直径D的关系按照表达式(1)进行，d2与直径D的关系按照表达式(2)进行，

d1＝0.9～0.95D (1)

d2＝0.92～0.96D (2)。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述核心区加热的温度为1100℃～1300℃，加热时间为30s～2min。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述边缘区的加热温度为450℃～650℃，且加热时间与所述核心区相同。

5.如权利要求1任一项所述的方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述退火温度优选采用450℃～650℃，时间为2h～4h。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述加热和退火处理均在保护气体的氛围中进行，该保护气体优选惰性气体。