[发明专利]一种三维存储器适应性操作装置以及方法

权利要求书

1.一种三维存储器适应性操作装置，其特征在于，包括：三维存储器、字线译码器、电压选通电路、电压产生电路以及控制电路；所述三维存储器具有存储阵列；

所述电压产生电路依次通过所述电压选通电路以及所述字线译码器与所述存储阵列连接；

所述控制电路分别与所述电压产生电路、所述电压选通电路、所述字线译码器以及所述存储阵列连接；

其中，所述控制电路用于调节所述电压产生电路的输出电压的幅值，并通过控制所述电压选通电路在所述输出电压中进行选择，控制选中输出电压的选通时间，以调节所述存储阵列的读取、编程、擦除信号的准确性。

2.根据权利要求1所述的三维存储器适应性操作装置，其特征在于，所述控制电路包括：可配置操作算法装置、核心控制器、页面缓冲器以及输入输出缓冲器；

所述可配置操作算法装置分别与所述电压产生电路、所述电压选通电路、所述字线译码器以及所述核心控制器连接；

所述页面缓冲器分别与所述电压选通电路、所述存储阵列、所述核心控制器以及所述输入输出缓冲器连接；

所述核心控制器与所述输入输出缓冲器连接；

所述可配置操作算法装置包括：

与所述电压产生电路连接的第一电路，所述第一电路用于通过第一信号调节所述电压产生电路的输出电压的幅值；

与所述电压选通电路连接的第二电路，所述第二电路用于通过第二信号调节所述电压选通电路的开关状态，以选择所述输出电压并且控制选中输出电压的选通时间；

与所述字线译码器连接的第三电路，所述第三电路用于通过第三信号控制所述字线译码器的开关状态。

3.根据权利要求2所述的三维存储器适应性操作装置，其特征在于，所述第二电路包括：

寄存器堆，所述寄存器堆具有N个寄存器组，每个寄存器组具有M个寄存器；

多路选通器，所述多路选通器具有控制端、输入端以及输出端；所述控制端与所述核心处理器连接，所述输入端与所述寄存器堆连接，所述输出端通过译码电路与所述电压选通电路连接。

4.根据权利要求3所述的三维存储器适应性操作装置，其特征在于，所述电压产生电路包括多个高压发生器；

所述电压选通电路包括多个与所述高压发生器一一对应的开关管，所述开关管具有控制电极、输入电极以及输出电极；

其中，所述开关管的控制电极与所述译码电路连接。

5.根据权利要求4所述的三维存储器适应性操作装置，其特征在于，所述开关管为PMOS、或CMOS、或NMOS。

6.一种三维存储器适应性操作方法，用于如权利要求1-5任一项所述的三维存储器适应性操作装置，其特征在于，所述三维存储器适应性操作方法包括：

通过调节输出到字线或者位线的电压的幅值以及选通时间，调节所述存储阵列的读取、编程、擦除信号的准确性。