[发明专利]一种高密度、高稳定性的核酸芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种高密度、高稳定性的核酸芯片的制备方法，所述方法包括步骤：

(1)将硅基固相基底羟基化，得到羟基化的固相基底；

(2)将所述羟基化的固相基底与γ-氨丙基三乙氧基硅烷进行偶联，得到氨基化的固相基底；

(3)将所述氨基化的固相基底与三聚氰氯在-2℃至6℃下反应，得到偶联活性基团氯的固相基底；

(4)将步骤(3)得到的固相基底与聚乙烯亚胺在室温下反应；

(5)将步骤(4)得到的固相基底与三聚氰氯在-2℃至6℃下反应；

(6)重复步骤(4)、(5)一次或多次；

(7)将氨基修饰的探针与步骤(6)得到的固相基底在60℃至70℃下进行反应获得核酸芯片。

2.权利要求1的方法，步骤(3)中将所述氨基化的固相基底与三聚氰氯在0℃至4℃下反应。

3.权利要求1的方法，步骤(5)中将步骤(4)得到的固相基底与三聚氰氯在0℃至4℃下反应。

4.权利要求1的方法，步骤(7)中将氨基修饰的探针与步骤(6)得到的固相基底在65℃下进行反应获得核酸芯片。

5.权利要求1-4任一项的方法，在步骤(6)中，重复步骤(4)、(5)1-5次。

6.权利要求5的方法，在步骤(6)中，重复步骤(4)、(5)直至所述固相基底上达到最大活性基团氯数量。

7.权利要求1-4任一项的方法，所述硅基固相基底为玻璃、陶瓷、硅或石英。

8.一种用于核酸芯片的片基，所述用于核酸芯片的片基包括：

硅基固相基底、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、聚乙烯亚胺和三聚氰氯；

所述γ-氨丙基三乙氧基硅烷通过-O-与所述硅基固相基底偶联；

所述三聚氰氯通过两种方式连接在所述硅基固相基底表面上：

(1)所述三聚氰氯的第一活性基团氯与连接在固相基底上的γ-氨丙基三乙氧基硅烷的氨基发生S_N2亲核取代反应；或

(2)所述聚乙烯亚胺的第一氨基与连接在所述硅基固相基底表面上的三聚氰氯的第二活性基团氯发生S_N2亲核取代反应，连接在所述硅基固相基底表面上；所述三聚氰氯的第一活性基团氯与连接在所述硅基固相基底表面上的聚乙烯亚胺的第二氨基发生S_N2亲核取代反应。

9.权利要求8所述的用于核酸芯片的片基，所述硅基固相基底为玻璃、陶瓷、硅或石英。

10.一种核酸芯片，所述核酸芯片包括：权利要求8或9所述的用于核酸芯片的片基和氨基修饰的探针，所述氨基修饰的探针的氨基通过与所述片基表面上的活性基团氯的S_N2亲核取代反应固定于所述片基表面。