[发明专利]杂化钙钛矿纳米材料在制备全光自旋电子器件中的应用在审
| 申请号： | 201710340751.1 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN106970476A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 马红 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | G02F1/095 | 分类号： | G02F1/095;G02F1/35 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司37221 | 代理人： | 张晓鹏 |
| 地址： | 250014 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 杂化钙钛矿 纳米 材料 制备 自旋 电子器件 中的 应用 | ||
1.杂化钙钛矿纳米材料在制备全光自旋电子器件中的应用。
2.杂化钙钛矿纳米材料薄膜在制备磁光隔离器中的应用，其特征在于：所述杂化钙钛矿纳米材料结构为ABX3，其中，A为CH3NH3+、CH(NH2)2+或全无机材料Cs+，B为Pb2+，X为Br-、Cl-和I-中的一种或多种的混合形式。
3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于：所述杂化钙钛矿纳米材料薄膜的厚度为80-200nm。
4.一种磁光隔离器，其特征在于：由杂化钙钛矿纳米材料制备而成，所述杂化钙钛矿纳米材料结构为ABX3，其中，A为CH3NH3+、CH(NH2)2+或全无机Cs+，B为Pb2+，X为Br-、Cl-和I-中的一种或多种的混合形式，杂化钙钛矿纳米材料薄膜的厚度为80-200nm。
5.根据权利要求4所述的磁光隔离器，其特征在于：所述磁光隔离器的法拉第旋转角为20-60°/μm。
6.杂化钙钛矿材料薄膜在制备全光开关中的应用，所述杂化钙钛矿纳米材料结构为ABX3，其中，A为CH3NH3+、CH(NH2)2+或全无机Cs+，B为Pb2+，X为Br-、Cl-和I-中的一种或多种的混合形式。
7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于：所述杂化钙钛矿纳米材料薄膜的厚度为80-200nm。
8.一种全光开关，其特征在于：由杂化钙钛矿纳米材料制备而成，所述杂化钙钛矿纳米材料结构为ABX3，其中，A为CH3NH3+、CH(NH2)2+或全无机Cs+，B为Pb2+，X为Br-、Cl-和I-中的一种或多种的混合形式，杂化钙钛矿纳米材料薄膜的厚度为80-200nm。
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