[发明专利]半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种半导体芯片(100)，所述半导体芯片具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化，其中所述第一半导体层(1)具有保持不变的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片(100)，其中

-所述第一半导体层(1)具有至少一个第一区域(11)和至少一个横向地与所述第一区域相邻的第二区域(12)；

-所述第一区域(11)和所述第二区域(12)具有相同的材料体系；并且

-所述第一区域(11)的材料组成不同于所述第二区域(12)的材料组成，其中所述第一区域(11)和所述第二区域(12)具有相同的厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片(100)，其中

-所述半导体芯片(100)构成为激光二极管芯片并且具有棱面，在运行时经由所述棱面放射光；

-所述第二区域(12)构成为棱面区域，所述棱面区域邻接于所述棱面并且位于所述棱面和所述第一区域(11)之间。

4.根据权利要求2或3所述的半导体芯片(100)，其中

-所述半导体芯片(100)构成为激光二极管芯片并且具有激光器条，在运行时在所述激光器条中产生光；

-所述第一区域(11)在所述激光器条的区域中构成；并且

-所述第二区域(12)在所述激光器条旁边两侧构成。

5.根据权利要求2所述的半导体芯片(100)，其中

-所述半导体芯片(100)构成为发光二极管芯片并且具有至少部分地构成为焊盘的接触层(4)；并且

-所述第二区域(12)设置在所述焊盘下方。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片(100)，其中

-所述接触层(4)具有载流片；并且

-所述第二区域(12)在所述载流片下方构成。

7.根据权利要求5或6所述的半导体芯片(100)，其中

-所述半导体芯片(100)构成为发光二极管芯片；并且

-所述第二区域(12)沿横向方向包围所述第一区域(11)并且环绕地邻接于所述半导体芯片(100)的边缘。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中在所述第一区域和所述第二区域(11，12)中的材料组成选择成，使得在所述第二区域(12)中的带距大于在所述第一区域(11)中的带距。

9.根据权利要求2至7中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中在所述第一区域和所述第二区域(11，12)中的材料组成选择成，使得在所述第二区域(12)中的带距小于在所述第一区域(11)中的带距。

10.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中所述第一半导体层(1)是有源层的至少一部分。

11.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中所述第一半导体层(1)基于材料体系InAlGaN，并且为了所述材料组成的横向变化而改变In含量。

12.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中所述材料组成的横向变化至少部分地具有阶梯状的变化曲线。

13.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中所述材料组成的横向变化至少部分地具有连续的变化曲线。

14.一种用于制造根据权利要求1至13中任一项所述的半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长所述第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的所述第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立所述第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。

15.根据权利要求14所述的方法，

其中有针对性地至少部分地通过局部变化的光辐照(300)产生不均匀的横向温度分布。

16.根据权利要求14或15所述的方法，

其中有针对性地至少部分地通过温度分布结构(7)产生不均匀的横向温度分布，所述温度分布结构(7)具有至少一个温度分布结构元件(70)，所述温度分布结构元件引起生长的所述第一半导体层(1)的温度的局部的升高或降低。