[发明专利]一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201710338803.1 | 申请日: | 2017-05-15 |
公开(公告)号: | CN106941113B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 张微 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置,属于显示装置领域。该OLED显示面板包括衬底基板、设置在衬底基板上的第一像素定义层和多个OLED,第一像素定义层上具有阵列布置的多个开口,每个开口对应设有一个OLED,每个OLED均包括第一电极、发光层和第二电极,每个第一电极设置在对应的开口的底部和侧壁上,发光层和第二电极依次设置在第一电极上,第一电极用于反射OLED发出的光,通过将OLED的第一电极覆盖在开口的侧壁上,从而形成一个反射面,将OLED发出的光向OLED的远离衬底基板的一侧反射,可以避免光线进入到第一像素定义层内,从而提高显示面板的亮度和出光率。
技术领域
本发明涉及显示装置领域,特别涉及一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前常见的显示装置有被动发光显示装置(如液晶显示装置)和主动发光显示装置(如OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示装置),由于主动发光显示装置不需要设置背光板,相比被动发光显示装置具有厚度小,功耗低,响应速度快等优势,因此主动发光显示装置具有更大的市场竞争力。
OLED显示装置包括OLED显示面板,OLED显示面板包括多个OLED,每个OLED通常包括阳极、有机发光层和阴极,在OLED显示面板中,阳极通常被先制作在衬底基板上,然后在衬底基板的表面设置一层绝缘的像素定义层,像素定义层上会设置多个阵列布置的开口,以将阳极的一部分通过开口露出,有机发光层则制作在阳极露出的部分上,阴极设置在有机发光层上。
在现有的OLED显示面板中,由于OLED设置在像素定义层的开口中,因此有机发光层发出的光会有一部分会被像素定义层吸收,导致OLED显示面板的出光率较低。
发明内容
为了解决现有OLED显示面板出光率低的问题,本发明实施例提供了一种 OLED显示面板及其制备方法、显示装置。所述技术方案如下:
一方面,本发明实施例提供了一种OLED显示面板,所述OLED显示面板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的第一像素定义层和多个OLED,所述第一像素定义层上具有阵列布置的多个开口,所述开口的侧壁为凹形的球冠面,每个所述开口对应设有一个所述OLED,每个所述OLED均包括第一电极、发光层和第二电极,每个所述第一电极设置在对应的所述开口的底部和侧壁上,所述发光层和所述第二电极依次设置在所述第一电极上,所述OLED的发光层设置在所述球冠面的焦点处,所述发光层的几何中心与所述球冠面的焦点重合,所述第一电极用于反射所述OLED发出的光,所述第一电极的厚度为0.4μm ~0.6μm,所述第二电极的厚度为80~100埃。
优选地,所述OLED显示面板还包括第二像素定义层,所述第二像素定义层覆盖在所述第一电极的位于所述发光层之外的区域和所述第一像素定义层上。
优选地,所述多个OLED的第二电极为一体结构,所述一体结构为面电极。
可选地,所述第一电极还覆盖在所述第一像素定义层的位于所述开口四周的表面上。
另一方面,本发明实施例还提供了一种OLED显示面板的制备方法,所述制备方法包括:
在衬底基板上形成第一像素定义层,所述第一像素定义层上具有阵列布置的多个开口,所述开口的侧壁为凹形的球冠面;
在所述第一像素定义层的每个开口中形成一个OLED的第一电极,所述第一电极的厚度为0.4μm~0.6μm;
在所述第一电极上形成发光层,所述OLED的发光层设置在所述球冠面的焦点处,所述发光层的几何中心与所述球冠面的焦点重合;
在所述发光层上形成第二电极,所述第二电极的厚度为80~100埃,
每个所述第一电极至少覆盖在对应的所述开口的侧壁上,所述第一电极用于反射所述OLED发出的光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的