[发明专利]硅基光电探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种硅基光电探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：

步骤1)，提供一衬底，于所述衬底表面制作出叉指型金属电极；所述衬底选用为单晶硅衬底或多晶硅衬底；

步骤2)，于所述叉指型金属电极之上覆盖多晶硅层，并使得所述多晶硅层与所述叉指型金属电极形成肖特基接触；步骤2)包括：

步骤2-1)，采用低温沉积工艺于所述叉指型金属电极之上覆盖非晶硅层；

步骤2-2)，采用激光诱导结晶化工艺或高温结晶工艺对所述非晶硅层进行处理，以形成多晶硅层；

步骤3)，刻蚀所述多晶硅层，以形成露出叉指型金属电极的接触点的接触窗，所述叉指型金属电极包括叉指排列的第一叉指金属及第二叉指金属，步骤3)中，所述接触窗包括位于所述第一叉指金属最外侧的第一接触窗以及位于所述第二叉指金属最外侧的第二接触窗；

步骤4)，基于所述接触窗制作接触点引出的金属焊盘。

2.根据权利要求1所述的硅基光电探测器的制作方法，其特征在于：所述多晶硅层为光敏层。

3.根据权利要求1所述的硅基光电探测器的制作方法，其特征在于：步骤1)包括：

步骤1-1)，通过溅射或蒸镀于所述衬底表面形成金属层；

步骤1-2)，通过光刻-刻蚀工艺刻蚀所述金属层，以制作出叉指型金属电极。

4.根据权利要求1所述的硅基光电探测器的制作方法，其特征在于：步骤1)包括：

步骤1-1)，于所述衬底表面旋涂光刻胶，并通过曝光工艺形成叉指型金属电极掩膜窗口；

步骤1-2)，通过溅射或蒸镀工艺于所述光刻胶及叉指型金属电极掩膜窗口内的衬底表面形成金属层；

步骤1-3)，剥离去除所述光刻胶以及光刻胶上的金属层，以制备出所述叉指型金属电极。

5.根据权利要求1所述的硅基光电探测器的制作方法，其特征在于：所述低温沉积工艺包括等离子体增强化学气相沉积工艺，所述低温沉积工艺的温度范围为300～500℃。

6.一种硅基光电探测器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底选用为单晶硅衬底或多晶硅衬底；

叉指型金属电极，位于所述衬底上；

多晶硅层，覆盖于所述叉指型金属电极上，并且，所述多晶硅层与所述叉指型金属电极形成肖特基接触；

接触窗，所述接触窗去除了部分的多晶硅层以露出叉指型金属电极的接触点，所述叉指型金属电极包括叉指排列的第一叉指金属及第二叉指金属，所述接触窗包括位于所述第一叉指金属最外侧的第一接触窗以及位于所述第二叉指金属最外侧的第二接触窗；

金属焊盘，基于所述接触窗实现所述接触点的引出。

7.根据权利要求6所述的硅基光电探测器，其特征在于：所述多晶硅层为光敏层。

8.根据权利要求6所述的硅基光电探测器，其特征在于：所述多晶硅层的形状包括圆形、椭圆形、圆角多边形及多边形中的一种。