[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备及照明装置有效
申请号: | 201710338215.8 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN107230744B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 濑尾广美;下垣智子;濑尾哲史;牛洼孝洋;佐佐木俊毅;上坂正吾 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C09K11/06;H01L27/32;H01L51/54;H01L51/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 叶培勇;付曼 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 电子设备 照明 | ||
1.一种发光装置,包括:
第一发光层,包括磷光化合物、第一有机化合物和第二有机化合物;以及
所述第一发光层上的第二发光层,所述第二发光层包括所述磷光化合物、所述第一有机化合物和所述第二有机化合物,
其中,所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的激基复合物的发射光谱与所述磷光化合物的吸收光谱的最长波长一侧的吸收带重叠,
其中,与所述第二发光层相比,所述第一发光层包括更高比例的所述第二有机化合物,并且
其中,所述吸收带相当于从单重基态到三重激发态的直接跃迁。
2.一种发光装置,包括:
阳极上的第一发光层,所述第一发光层包括磷光化合物、第一有机化合物和第二有机化合物;
所述第一发光层上的第二发光层,所述第二发光层包括所述磷光化合物、所述第一有机化合物和所述第二有机化合物;以及
所述第二发光层上的阴极,
其中,所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的激基复合物的发射光谱与所述磷光化合物的吸收光谱的最长波长一侧的吸收带重叠,
其中,与所述第二发光层相比,所述第一发光层包括更高比例的所述第二有机化合物,并且
其中,所述吸收带相当于从单重基态到三重激发态的直接跃迁。
3.一种发光装置,包括:
阳极和阴极之间的至少第一电致发光层和第二电致发光层,所述第一电致发光层和所述第二电致发光层中的至少一个包括第一发光层和第二发光层;以及
所述第一电致发光层和所述第二电致发光层之间的电荷产生层,
其中,所述第一发光层包括磷光化合物、第一有机化合物和第二有机化合物,
其中,所述第二发光层包括所述磷光化合物、所述第一有机化合物和所述第二有机化合物,
其中,所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的激基复合物的发射光谱与所述磷光化合物的吸收光谱的最长波长一侧的吸收带重叠,
其中,与所述第二发光层相比,所述第一发光层包括更高比例的所述第二有机化合物,并且
其中,所述吸收带相当于从单重基态到三重激发态的直接跃迁。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,通过利用所述激基复合物的所述发射光谱和所述磷光化合物的所述吸收光谱的最长波长一侧的所述吸收带之间的所述重叠,将所述激基复合物的激发能量转移到所述磷光化合物。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,
其中,所述激基复合物的所述发射光谱的峰值的能量和所述吸收光谱的最长波长一侧的所述吸收带的峰值的能量的差异为0.2 eV或更小。
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中,与所述磷光化合物的所述吸收光谱的最长波长一侧的所述吸收带的峰值相比,所述激基复合物的所述发射光谱的峰值具有更长的波长。
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中,所述第一有机化合物是缺π电子型杂芳族化合物。
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置,其中,所述第二有机化合物是富π电子型杂芳族化合物或芳香胺化合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择