[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201710334928.7 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107331738B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 金雅馨;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、第二N型氮化镓层、低温改善层、第一N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；
其中，所述缓冲层为二维生长的氮化镓层，所述低温改善层为未掺杂的GaN层，且所述低温改善层的生长温度为500～750℃，所述缓冲层的生长温度与所述低温改善层的生长温度相同，所述低温改善层的厚度为50～200埃。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二N型氮化镓层的生长条件与所述第一N型氮化镓层的生长条件相同，所述生长条件包括生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第二N型氮化镓层的厚度与所述第一N型氮化镓层的厚度相同。
4.根据权利要求1～3任一项所述的制造方法，其特征在于，所述低温改善层的生长温度为600℃。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述低温改善层的厚度为100～150埃。
6.根据权利要求1～3任一项所述的制造方法，其特征在于，所述低温改善层的生长压力为50～760torr。
7.根据权利要求1～3任一项所述的制造方法，其特征在于，所述低温改善层的Ⅴ/Ⅲ比为300～3000。
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