[发明专利]一种基于侧向场激励剪切波模式的FBAR微压力传感器在审
| 申请号： | 201710334788.3 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107192481A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 苏淑靖;马晓鑫;熊继军;谭秋林;耿子惠;吴永盛;韩文革;吕楠楠 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人： | 李广 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 侧向 激励 剪切 模式 fbar 压力传感器 | ||
1.一种基于侧向场激励剪切波模式的FBAR微压力传感器，其特征在于，包括硅衬底(1)、支撑层(2)、空气隙(3)、AlN压电薄膜(4)、双电极层(5)、接地层(6)、微压力敏感层(7)、微压力施加层(8)；
所述硅衬底(1)上表面采用硅表面刻蚀工艺与所述AlN压电薄膜(4)间形成空气隙(3)，在所述硅衬底(1)上表面淀积一层支撑层(2)连接所述AlN压电薄膜(4)，所述AlN压电薄膜(4)上表面为双电极层(5)和所述接地层(6)，所述接地层(6)上表面淀积4个所述微压力敏感层(7)，所述微压力敏感层(7)上键合有所述微压力施加层(8)。
2.根据权利要求1所述的一种基于侧向场激励剪切波模式的FBAR微压力传感器，其特征在于，所述AlN压电薄膜(4)的c轴取向与厚度方向一致。
3.根据权利要求1所述的一种基于侧向场激励剪切波模式的FBAR微压力传感器,其特征在于，所述支撑层(2)为Si3N4材料。
4.根据权利要求1所述的一种基于侧向场激励剪切波模式的FBAR微压力传感器,其特征在于，所述双电极层(5)对称分布于压电薄膜上表面的中部，采用Mo作为电极材料。
5.根据权利要求1所述的一种基于侧向场激励剪切波模式的FBAR微压力传感器，其特征在于，所述接地层(6)设置在所述压电薄膜(4)上表面对称的两个边沿处，所述接地层(6)上表面淀积有4个所述微压力敏感层(7)。
6.根据权利要求1所述的一种基于侧向场激励剪切波模式的FBAR微压力传感器，其特征在于，所述微压力施加层(8)采用硅材料，所述微压力施加层(8)作为微压力检测时的均匀受力结构。
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