[发明专利]电流镜电路中电阻器的校正

说明书

技术领域

本揭露一般针对包含集成电路的系统。尤其，本揭露关于包含集成电路诸如电流镜电路的系统结构。

背景技术

电流镜电路包含(i)提供参考电流给电流参考负载的参考级及(ii)输出供电电流给输出负载的输出级。电流镜电路将输出负载所汲取的供电电流控制成等于电流参考负载所汲取的参考电流。

发明内容

在一实施例中，电流镜包含参考级，所述参考级具有电性串联连接的第一及第二晶体管及可数字控制的电阻器。所述电阻器具有一端，在电压VG2且耦合至所述第二晶体管的栅极。VG2施加到比较器的第一输入。参考晶体管为二极管连接形式且输出电压VD至所述比较器的第二输入。调整电路控制所述电阻器的电阻以造成VG2接近VD直到当VG2达到VD时所述比较器的输出改变状态。

在一实施例中，所述调整电路调整数字电阻控制值，所述值输出至所述电阻器，以造成VG2接近并达到VD。当VG2达到VD时，所述调整电路锁存所述数字电阻控制值。

附图说明

对于本技术领域中具有通常知识者来说，本揭露的各种方面在参考下面详细说明且结合所附非限制性例示实施例来考虑时将会或变得更形彰显。

图1是实例p型金属氧化物半导体场效晶体管(p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor，pMOSFET)自偏压电流镜系统的示意图。

图2是图1的系统的实例参考负载的示意图。

图3是图1的系统的实例数字控制的电阻器的示意图。

图4是通过图1的系统实施的方法的流程图。

图5是通过图1的系统实施的另一方法的流程图。

图6是图1的pMOSFET是电流镜系统的实例n型金属氧化物半导体场效晶体管(n-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor，nMOSFET)对应者的示意图。

具体实施方式

下列揭露提供许多用于实施所提供目标的不同特征的不同实施例、或实例。为了简化本揭露，于下描述组件及配置的具体实例。当然这些仅为实例而非意图为限制性。例如，在下面说明中，形成第一特征在第二特征上方或上可包含其中第一及第二特征经形成为直接接触的实施例，以及也可包含其中额外特征可形成在第一与第二特征之间而使得第一及第二特征不可直接接触的实施例。此外，本揭露可重复参考编号和/或字母于各种实例中。此重复是为了简单与清楚的目的且其本身并不决定所讨论的各种实施例和/或构形之间的关系。

又，空间相关词汇，例如“在…之下”、“下面”、“下”、“上面”、“上方”和类似词汇，可为了使说明书便于描述如图式绘示的一个组件或特征与另一个(或多个)组件或特征的相对关系而使用于本文中。除了图式中所画的方位外，这些空间相对词汇也意图用来涵盖装置在使用中或操作时的不同方位。所述设备可以其它方式定向(旋转90度或于其它方位)，据此在本文中所使用的这些空间相关说明符可以类似方式加以解释。

在一实施例中，电流镜包含参考级，所述参考级具有电性串联连接的第一及第二晶体管及可数字控制的电阻器。所述电阻器具有一端，在电压VG2且耦合至所述第二晶体管的栅极。VG2施加到比较器的第一输入。参考晶体管是二极管连接形式且输出电压VD至所述比较器的第二输入。调整电路控制所述电阻器的电阻以造成VG2接近VD直到当VG2达到VD时所述比较器的输出改变状态。

在一实施例中，所述调整电路调整数字电阻控制值，所述值输出至所述电阻器，以造成VG2接近并达到VD。当VG2达到VD时，所述调整电路锁存所述数字电阻控制值。

图1显示实例自偏压电流镜系统1。系统1包含(i)电流镜2及(ii)校正电路3，校正电路3校正在电流镜内的偏压电阻器。电流镜2包含参考级10以及第一输出级11及第二输出级12。参考级10包含从供电电压VDD(正电压轨)串联连接至参考输出10out的参考上晶体管10T1(参考第一晶体管)、参考下晶体管10T2(参考第二晶体管)及参考电阻器R。参考负载10D(电流参考负载装置)从参考输出10out延伸到接地(Gnd，或负回流线)。第一输出级11包含从VDD串联连接至第一输出11out的第一上晶体管11T1(第一级第一晶体管)及第一下晶体管11T2(第一级第二晶体管)。第二输出级12包含从VDD串联连接至第二输出12out的第二上晶体管12T1(第二级第一晶体管)及第二下晶体管12T2(第二级第二晶体管)。