[发明专利]一种高显色指数的白光OLED器件有效
申请号: | 201710333608.X | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN107425137B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 苗艳勤;王科翔;赵波;高龙;王忠强;王华;许并社 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 太原华弈知识产权代理事务所 14108 | 代理人: | 李毅 |
地址: | 030024 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显色 指数 白光 oled 器件 | ||
一种结构简单的高CRI白光OLED器件,所述器件的功能层由空穴传输层、第一电子传输层、电子阻挡层、第二电子传输层和电子注入层构成,空穴传输层与第一电子传输层的界面形成黄色荧光发射的激基复合物,第二电子传输层材料实现蓝光发射,电子阻挡层使器件实现激基复合物黄光及第二电子传输层蓝光的同时发射。本发明的白光OLED器件结构极其简单,通过4个非掺杂的有机材料功能层就实现了发光光谱宽、CRI高的蓝‑黄双色全荧光白光发射。
技术领域
本发明属于有机半导体发光器件技术领域,涉及一种白光OLED,特别是一种具有高显色指数的白光OLED器件。
背景技术
有机发光二极管(Organic light-emitting diodes,OLED)具有面光源、轻薄、柔性、透明等特点,得到了广泛的研究并不断成熟,可以广泛应用于下一代照明和显示领域,具有广阔的市场空间和巨大的应用前景。
白光OLED主要包括全荧光、全磷光以及荧光/磷光杂化白光OLED。受限于磷光材料用到的Ir、Pt等贵金属资源的稀缺、价格昂贵等弊端,不可避免会限制全磷光及荧光/磷光杂化白光OLED在未来大规模商业化中的应用潜力。相比之下,结构较为简单的全荧光白光OLED在低成本方面具有较强的竞争力。
显色指数(Color Rendering Index,CRI)是衡量光源品质的重要参数,高CRI的白光OLED越来越受到研究人员的重视。对于商业化照明而言,要求白光光源的CRI较高(CRI>80)。而在博物馆、展览馆以及具有绚丽灯光效果的演播大厅中,对照明光源的CRI要求则更加苛刻(CRI>90)。
高CRI的白光OLED要求其发光光谱尽可能多的连续覆盖400~780nm的所有可见光波段。一般而言,需要至少三种发光材料(蓝、绿、红)才能在可见光范围形成较为连续的光谱,实现较高CRI(>80)的白光发射。为了追求更高品质的白光发射(CRI>90),研究人员往往通过在一个器件中加入四种甚至五种发光材料,以获得更宽的发光光谱。但是,使用的发光材料越多,发光层也越多,存在于各种发光层之间的能量传递过程会更复杂,导致白光OLED的器件结构以及发光机理均非常复杂,制备成本也相对较高。
激基复合物是一种形成于强电子给体与强电子受体界面的分子间电荷转移激发态。相比于给体或者受体材料的发光光谱,激基复合物的发光光谱会发生明显红移,并且光谱相对较宽,结合其它互补色的发光,可以较容易实现高质量的白光发射。近年来,利用激基复合物发光来制备高CRI白光OLED成为一种新的思路。
从制备工艺来看,传统的高CRI白光OLED器件一般是将不同的发光材料掺杂在单一或多个主体中实现,而文献报道的利用激基复合物发光实现高CRI的白光OLED也多涉及到给、受体的掺杂。掺杂工艺的引入,势必会增加器件制备的难度,尤其是对于不同染料的掺杂浓度需要精确控制的白光器件。这样就导致高品质白光发射OLED器件的制备难度加大,重复性差,不利于工业化生产。
综上所述,目前报道的高CRI白光OLED普遍存在器件结构复杂,制备工艺繁琐,重复性差,成本高等限制,不利于其商业化照明的进一步发展。因此,急需开发一种结构简单、成本低且CRI高的白光OLED,以满足越来越严苛的商业化照明需求。
发明内容
本发明的目的是提供一种高显色指数的白光OLED器件,本发明的高CRI白光OLED器件结构极其简单,有助于显著简化器件制备流程、降低制备成本,利于商业化应用。
本发明的高CRI白光OLED器件包括透明基底,透明基底之上的阳极、阴极,以及设置在所述阳极和阴极之间的多层功能层,所述功能层由自阳极至阴极依次排列的空穴传输层、第一电子传输层、电子阻挡层、第二电子传输层和电子注入层构成,且除电子注入层外的其它有机材料功能层的组成满足:
在空穴传输层与第一电子传输层的界面形成激基复合物,该激基复合物具有黄色荧光发射性能;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择