[发明专利]一种透明柔性氧化物铁电存储器有效
| 申请号： | 201710333577.8 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107221532B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 高焕;苏留帅;袁国亮 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L27/11502 | 分类号： | H01L27/11502;H01L27/28 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红;朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 透明 柔性 氧化物 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明柔性氧化物铁电存储器，其特征在于，由依次连接的云母基片、掺杂ZnO透明电极、氧化物铁电薄膜和ITO透明电极组成，云母基片为0.1μm~10μm厚的氟晶云母；掺杂ZnO透明电极为2wt%Al2O3掺杂的ZnO薄膜或掺杂ZnO透明电极为5wt%Ga2O5掺杂的ZnO薄膜。
2.如权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，氧化物铁电薄膜为Bi3.25La0.75Ti3O12、Bi3.15Nd0.85Ti3O12和SrBi2Ta2O9三种薄膜中的一种。
3.如权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，ITO透明电极为质量比In2O3:SnO2=9:1的ITO薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
