[发明专利]SIM卡保护方法、装置及电子设备有效

专利信息
申请号: 201710333490.0 申请日: 2017-05-12
公开(公告)号: CN108879585B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 胡若洋;梁旺平 申请(专利权)人: 展讯通信(上海)有限公司
主分类号: H02H3/00 分类号: H02H3/00
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张瑾
地址: 201203 上海市浦东新区浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: sim 保护 方法 装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种SIM卡保护方法,所述SIM卡与SD卡位于一体式卡托,其特征在于,包括:

检测所述SD卡的当前工作模式,所述当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50、SDR50或SDR104;

根据所述SD卡的当前工作模式,设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值,当所述SD卡的当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50或SDR50时,设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第一阈值;当所述SD卡的当前工作模式为SDR104时,设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第二阈值。

2.根据权利要求1所述的SIM卡保护方法,其特征在于,所述第一阈值为500mA。

3.根据权利要求1所述的SIM卡保护方法,其特征在于,所述第二阈值为900mA。

4.一种SIM卡保护装置,所述SIM卡与SD卡位于一体式卡托,其特征在于,包括:

检测单元,用于检测所述SD卡的当前工作模式,所述当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50、SDR50或SDR104;

阈值设置单元,用于根据所述检测单元检测到的SD卡的当前工作模式,设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值,当所述SD卡的当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50或SDR50时,设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第一阈值;当所述SD卡的当前工作模式为SDR104时,设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第二阈值。

5.根据权利要求4所述的SIM卡保护装置,其特征在于,所述第一阈值为500mA。

6.根据权利要求4所述的SIM卡保护装置,其特征在于,所述第二阈值为900mA。

7.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求4-6中任一项所述的SIM卡保护装置。

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