[发明专利]光掩模的制造方法、光掩模及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模的制造方法，该光掩模具有转印用图案，该转印用图案是通过对形成于透明基板上的遮光膜及半透光膜分别进行图案形成而形成的，具有遮光部、半透光部及透光部，其特征在于，

所述转印用图案包括与所述透光部及所述半透光部分别相邻的所述遮光部，

所述光掩模的制造方法包括以下工序：

准备在所述透明基板上层叠了半透光膜、中间膜及遮光膜而成的光掩模坯体；

遮光部形成工序，通过蚀刻将成为所述遮光部的区域以外的区域的遮光膜去除，形成所述遮光部；

在形成有所述遮光部的所述透明基板上形成抗蚀剂膜；

抗蚀剂图案形成工序，对所述抗蚀剂膜进行描画及显影，形成至少在所述透光部的区域具有开口的抗蚀剂图案；以及

半透光膜蚀刻工序，通过蚀刻将从所述抗蚀剂图案露出的半透光膜去除，形成透光部，

在所述光掩模坯体中，所述半透光膜与所述遮光膜的膜厚之比为1:2.5～1:20，

所述半透光膜和遮光膜由能够利用相同的蚀刻剂进行蚀刻的材料形成，

在将与所述透光部及所述半透光部分别相邻的所述遮光部设为中间遮光部时，

在所述抗蚀剂图案形成工序中形成具有开口的抗蚀剂图案，该开口的尺寸相对于与所述中间遮光部相邻的所述透光部的设计尺寸A，在与所述中间遮光部相邻的边缘侧，每一侧增加了裕量α，其中A和α的单位均为μm。

2.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

当在所述遮光部形成工序中进行了所述遮光膜的蚀刻后，进行所述中间膜的蚀刻。

3.根据权利要求2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述半透光膜和所述遮光膜针对相同蚀刻剂的蚀刻所要时间之比为1:3～1:20。

4.根据权利要求2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

在所述转印用图案中形成有所述中间遮光部的凹部，在该凹部中，所述遮光膜的膜厚在与所述透光部相邻的边缘侧小于与所述半透光部相邻的边缘侧。

5.根据权利要求2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

在所述光掩模坯体中，所述半透光膜、所述中间膜及所述遮光膜层叠的状态下的光学浓度OD为2.5～7.5。

6.根据权利要求2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

在所述光掩模坯体中，在所述遮光膜的表层具有反射控制层。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述转印用图案具有与所述遮光部相邻且被所述遮光部包围的透光部。

8.根据权利要求1～6中任意一项所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述转印用图案具有与所述半透光部相邻且被所述遮光部包围的透光部。

9.一种光掩模，该光掩模具有转印用图案，该转印用图案是通过对透明基板上形成有遮光膜及半透光膜的光掩模坯体的所述遮光膜及所述半透光膜分别进行图案形成而形成的，具有遮光部、半透光部及透光部，其特征在于，

所述转印用图案包括与所述透光部及所述半透光部分别相邻的所述遮光部，

在所述遮光部中，在所述透明基板上形成有半透光膜、中间膜及遮光膜，

在所述半透光部中，在所述透明基板上形成有所述半透光膜、或者所述半透光膜和中间膜，

所述透光部将所述透明基板的表面露出，

所述遮光膜和所述半透光膜由能够利用相同的蚀刻剂进行蚀刻的材料形成，

在将与所述透光部及所述半透光部分别相邻的所述遮光部设为中间遮光部时，

在所述中间遮光部中形成有凹部，该凹部中的所述遮光膜的膜厚在与所述透光部相邻的边缘侧小于与所述半透光部相邻的边缘侧，

在所述光掩模坯体中，所述半透光膜与所述遮光膜的膜厚之比为1:2.5～1:20。

10.根据权利要求9所述的光掩模，其特征在于，

所述凹部的深度为