[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于：包括阳极层和阴极层，以及层叠结合在阳极层与阴极层之间的空穴注入层和量子点发光层，且所述空穴注入层与所述阳极层层叠结合，所述量子点发光层层叠结合在空穴注入层与阴极层之间，其中，所述空穴注入层材料为MoS₂:Nb材料。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述空穴注入层的厚度为10-100nm。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述MoS₂:Nb中的Mo与Nb的摩尔比为1:(0.001-0.01)。

4.根据权利要求1-3任一所述的量子点发光二极管，其特征在于：在所述空穴注入层与量子点发光层之间还层叠结合有空穴传输层；和/或

在所述阴极层与量子点发光层之间还层叠结合有电子传输层和/或电子注入层，其中，所述电子注入层与所述阴极层层叠结合。

5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层的材料为聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60中的一种或多种；和/或

所述电子传输层为ZnO、TiO₂、WO₃、NiO、MoO₃、Fe₂O₃、SnO₂、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO、InSnO中的一种或多种；和/或

所述电子注入层材料为Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO₃中的至少一种。

6.根据权利要求4或5所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层的厚度为1-100nm；和/或

所述电子传输层较佳的厚度为30-60nm；和/或

所述电子注入层的厚度为30-60nm。

7.根据权利要求1-3、5任一所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述含有阳极的材料为氧化锡铟、氧化铟锌中的任一种，所述阳极层厚度为20-120nm；和/或

所述阴极的材料为Al、Ag、Cu、Mo、Au中的一种或它们的合金，所述阴极较佳的厚度为60-120nm；和/或

所述量子点发光层的厚度为10-60nm。

8.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在阳极表面制备空穴注入层的步骤，且空穴注入层材料为MoS₂:Nb材料。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：在阳极表面制备空穴注入层是采用化学沉积法制备；和/或

制备的所述空穴注入层厚度为10-100nm。

10.一种显示器件或固态照明灯具，其特征在于：所述显示器件或固态照明灯具含有权利要求1-7任一所述的量子点发光二极管或由权利要求8-9任一所述制备方法制备的量子点发光二极管。