[发明专利]一种吸片装置

说明书

本发明提出了一种吸片装置。该装置包括第一板和第二板，第一板为圆形板，其上设有抽气口，抽气口用于与真空产生装置连接；第二板的外周为圆形，第二板的第一表面设有向内部凹陷的环形凹槽，环形凹槽与第一板配合形成抽气室，抽气室与抽气口连通；第二板的第二表面中心设有向内部凹陷的圆形缓冲抽气腔，缓冲抽气腔的直径大于所述环形凹槽的内径并小于环形凹槽的外径，并且缓冲抽气腔的深度小于第二板的厚度与环行凹槽的深度之差；在抽气室和缓冲抽气腔之间设置有第一抽气孔，第一抽气孔将缓冲抽气腔与抽气室连通。本发明通过设置缓冲抽气腔，保证了第一抽气孔产生的吸附力不直接作用于晶片上，使得晶片的变形量小，不易形成压伤。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，具体地，涉及一种吸片装置。

背景技术

在半导体集成电路制造领域，晶片传送属于非常重要的内容。晶片一般是圆形的，具有正面和背面，晶片正面是实现集成电路结构的晶片面；另外，晶片的边缘处几毫米区域也不用于实现集成电路制造。所以，在晶片传送过程中，保护晶片正面不受损坏是非常重要的，一般选择晶片背面传送晶片。然而，在外延反应某些领域无法采用背面传送晶片，在这种情况下必须使用晶片正面的边缘传送晶片。

现有技术中典型的吸片装置的侧视图如图1和图2所示。这种吸片装置通常包括第一板101和第二板102，第二板102底面被加工成沿着晶片的边缘与晶片正面接触，第二板的俯视图如图2所示。第二板中心部分有抽气腔106，抽气腔106通过抽气孔105与抽气室104连通，抽气室104通过抽气口103与真空产生装置连通。这种吸片装置整体覆盖晶片，真空产生装置经由抽气口103、抽气室104、抽气孔105与抽气腔106连通，产生的真空吸附并固定晶片。

在这种吸片装置中，第二板底面通常被加工成弧面或者能够实现相同作用的面，抽气孔加工在第二板的中间部位。在吸片过程中，在各抽气孔处形成的吸附力作用于晶片的正面中央，再加上晶片边缘与第二板弧面保持接触，晶片中央作用的吸附力将使晶片变形过大，从而容易形成压伤。此外，在从工艺腔中取片时，晶片尚存有一定温度，与基座之间存在一定的粘附性，晶片将不能被十分水平地吸附起来，晶片相对于第二板处于一定的倾斜状态，这样，第二板的弧面与晶片间将不能形成一个相对密闭的空间，第二板中间均布的单独一圈抽气孔无法保证平稳地吸附住晶片，从而造成取片失败或是传片过程中晶片的脱落。

因此，有必要开发一种产生的吸附力使得晶片的变形量小，不易形成压伤的吸片装置。

公开于本发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明提出了一种吸片装置，至少通过设置缓冲抽气腔，解决了晶片在吸附过程中变形量大，易形成压伤的问题。

根据本发明的吸片装置包括：第一板和第二板，所述第一板为圆形板，其上设有抽气口，所述抽气口用于与真空产生装置连接；所述第二板的外周为圆形，所述第二板的第一表面设有向内部凹陷的环形凹槽，所述环形凹槽与所述第一板配合形成抽气室，所述抽气室与所述抽气口连通；所述第二板的第二表面中心设有向内部凹陷的圆形缓冲抽气腔，所述缓冲抽气腔的直径大于所述环形凹槽的内径并小于环形凹槽的外径，并且所述缓冲抽气腔的深度小于第二板的厚度与所述环行凹槽的深度之差；在所述抽气室和所述缓冲抽气腔之间设置有第一抽气孔，所述第一抽气孔将所述缓冲抽气腔与所述抽气室连通。

优选地，所述第二板外侧设置有第二抽气孔，所述第二抽气孔位于所述第一抽气孔的外侧，并与所述抽气室连通。

优选地，所述缓冲抽气腔与所述第二板的外周之间的环形区域的底面从外侧向内侧倾斜形成弧面。

优选地，所述第一板在靠近所述抽气口处具有向外突出的突起部。

优选地，所述缓冲抽气腔的直径为所述第二板的外径的7/10～9/10。