[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板上的有源层和设置在所述有源层上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层包括：

设置在所述有源层上的栅极绝缘层；

设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；

设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子，其中所述覆盖层包括含镓氧化物，并且其中所述含镓氧化物是氧缺乏的。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述含镓氧化物包括下列材料的至少一种：IGZO、GZO、IGO、氧化镓、或其组合。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述覆盖层的材料和所述有源层的材料相同。

4.根据权利要求1-2中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述覆盖层上的介质层，其中，所述介质层覆盖所述有源层的上表面。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管还包括

设置在所述介质层上的第一接触；

以及位于所述介质层中的第一孔，

其中，所述第一接触经由所述第一孔连接到薄膜晶体管的源/漏极区域。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管还包括：

位于所述介质层中的第一布线，所述第一布线具有与所述栅极叠层相同的结构，所述第一布线的顶表面高于所述有源层的顶表面；

设置在所述介质层上的第二接触；

设置在所述介质层中的第二孔，

其中，所述第二接触经由所述第二孔连接到所述第一布线。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管还包括：

设置在所述有源层和所述衬底基板之间的遮光层，以阻挡来自所述有源层下方的光进入所述有源层；

第二布线，所述第二布线与所述遮光层位于同一层；

设置在所述介质层上的第三接触；

穿过所述介质层的第三孔，

其中，所述第三接触经由所述第三孔连接到所述第二布线。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层和所述衬底基板之间的缓冲层，

其中，所述缓冲层覆盖所述遮光层的上表面、所述第二布线的上表面和所述衬底基板的暴露的上表面；

设置在第一接触、第二接触和第三接触上的钝化层。

9.一种阵列基板，包括根据权利要求1-8中任一项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，包括根据权利要求9所述的阵列基板。

11.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

在衬底基板上形成有源层；

在所述有源层上形成栅极叠层，

其中，所述栅极叠层包括：

设置在所述有源层上的栅极绝缘层；

设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；

设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子，其中所述覆盖层包括含镓氧化物，并且其中所述含镓氧化物是氧缺乏的。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述含镓氧化物包括下列材料的至少一种：IGZO，GZO，IGO，氧化镓或其组合，

形成所述栅极叠层包括：

在所述有源层上形成绝缘材料层；

在所述绝缘材料层上形成导电层；

在所述导电层上形成覆盖材料层；

进行构图，以形成所述栅极叠层，

并且其中，所述制造方法进一步包括：

在形成所述有源层之前，在所述衬底基板上形成遮光层和第二布线，其中，第二布线和遮光层被同时形成，所述遮光层能够阻挡来自所述有源层下方的光进入所述有源层；

在形成所述有源层之后，在所述衬底基板上形成第一布线，其中，所述第一布线与所述栅极叠层被同时形成，并且所述第一布线具有与所述栅极叠层相同的结构；

在形成所述栅极叠层之后，对所述覆盖层的上表面和所述有源层的上表面进行等离子体处理。