[发明专利]有机发光晶体管和显示面板有效
申请号: | 201710330296.7 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107425035B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗瑞芝;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 晶体管 显示 面板 | ||
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种有机发光晶体管和显示面板。该有机发光晶体管包括衬底,所述衬底上方设置有控制功能体和有机功能体,所述有机功能体位于由所述衬底和所述控制功能体围成的空间内部,且所述有机功能体的排布形状与所述控制功能体的局部结构具有相同的排布形状。该有机发光晶体管结构简单、降低制备工艺难度,具有较大驱动电流,还同时能解决显示面板厚度的问题;相应的,包括该有机发光晶体管的显示面板具有较佳的显示效果。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种有机发光晶体管和显示面板。
背景技术
电致发光(Electroluminescence,简称EL)被广泛用在OLED(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示面板(Backplate,简称BP)技术中,在大尺寸OLED显示技术像素驱动电路的设计中,为了给OLED发光提供较大的驱动电流,在设计中除了要设计开关管(switch)外,还要设计驱动管(driver),因此需设置多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,简称TFT)。目前采用的制备方法是,制备完薄膜晶体管之后,沉积一层树脂层(Resin),在树脂层上再分别制备阳极(ITO)、发光层(EL)和阴极来实现。
如图1所示为一种常用的发光器件的层叠结构,由于发光器件数较多,导致显示面板的厚度难以减小,与制备超薄显示屏(Ultrathin display)的愿望背道而驰。并且,这种制备方法需要为OLED专门设计驱动管以提供大的驱动电流,增加的驱动管也给显示面板的设计和制备增加了难度,工艺复杂度也较高。
针对上述问题,有人提出了有机发光晶体管(Organic Light EmittingTransistor,简称OLET),其实现了驱动和发光的结合,但是存在器件的电流较小、发光效率低的问题,同时仍然没有解决显示面板厚度较大的问题。
可见,设计一种结构简单、降低制备工艺难度,具有较大驱动电流,还同时能解决显示面板厚度的问题的显示器件成为目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中上述不足,提供一种有机发光晶体管和显示面板,该有机发光晶体管至少部分解决了发光器件的电流较小、发光效率低的问题。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该有机发光晶体管,包括衬底,其中,所述衬底上方设置有控制功能体和有机功能体,所述有机功能体位于由所述衬底和所述控制功能体围成的空间内部,且所述有机功能体的排布形状与所述控制功能体的局部结构具有相同的排布形状。
优选的是,所述控制功能体包括栅极、源极、漏极和栅绝缘层,所述源极为闭合排布结构,所述有机功能体与所述源极同层设置且位于所述源极的内部;
所述栅绝缘层和所述漏极同层设置于所述源极和所述有机功能体的上方,所述栅极设置于所述栅绝缘层的上方。
优选的是,所述有机功能体至少包括空穴注入层、发光层和电子注入层,所述空穴注入层、发光层和电子注入层依次沿所述源极形状由外向内同心、闭合排布。
优选的是,所述漏极位于所述电子注入层的正上方,所述栅极与所述源极在正投影方向上无交叠。
优选的是,所述源极为长方形的闭合结构,所述电子注入层和所述漏极位于长方形的中心;
或者,所述源极为圆环形的闭合结构,所述电子注入层和所述漏极位于圆环形的圆心。
优选的是,所述空穴注入层和所述栅绝缘层的界面处形成导电沟槽,所述导电沟槽的宽长比范围为5~10倍。
优选的是,所述源极采用透明导电材料或具有反射性质的导电材料形成;所述透明导电材料包括氧化铟、铝掺杂的氧化锌、氧化铟锌或氧化锌锡中的任意一种或组合,所述具有反射性质的导电材料包括银、铝钕合金中的任意一种或组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的