[发明专利]防漏电铜芯接线端子在审

专利信息
申请号: 201710330221.9 申请日: 2017-05-11
公开(公告)号: CN107181073A 公开(公告)日: 2017-09-19
发明(设计)人: 项南;文冠华;李英江;钟伟;汪洋;刘洋;刘晓东;刘强飞 申请(专利权)人: 安徽大德中电科技发展股份有限公司
主分类号: H01R9/00 分类号: H01R9/00;C22C9/06;C23C14/06;C23C14/18
代理公司: 安徽信拓律师事务所34117 代理人: 娄尔玉
地址: 236300 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 漏电 接线 端子
【说明书】:

技术领域

本发明涉及输电技术领域,具体涉及一种防漏电铜芯接线端子。

背景技术

接线端子就是用于实现电气连接的一种配件产品,工业上划分为连接器的范畴。随着工业自动化程度越来越高和工业控制要求越来越严格、精确,接线端子的用量逐渐上涨。随着电子行业的发展,接线端子的使用范围越来越多,而且种类也越来越多。目前用得最广泛的除了PCB板端子外,还有五金端子,螺帽端子,弹簧端子等等。

1928年,菲尼克斯电气发明了世界上第一片组合式接线端子,这就是现代端子的雏形,也是菲尼克斯电气申请并获得的第一个发明专利。此后,菲尼克斯电气激情创新,致力于各种连接技术的开发,形成了完善的电气接口技术体系,其中很多产品系列已经成为行业的应用标准。

接线端子按其材质划分,有铜芯接线端子、铁芯接线端子,不同种类接线端子应用于不同场合,由于接线端子一般为导线连接点且没有包覆绝缘外套,如果接触不良或者在潮湿环境中极易产生漏电事故,特别是暴露在外界的接线端子,进而产生安全隐患。

发明内容

本发明为解决上述问题,提供一种防漏电铜芯接线端子,使得铜芯接线端子在连接使用时不会产生漏电,具有很好的稳定性。

本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现:

一种防漏电铜芯接线端子,所述接线端子包括铜芯本体,所述铜芯本体由正面、背面和侧面组成,所述正面为使用面,所述背面、侧面分别溅射过渡层,所述过渡层上蒸镀硅层;

所述铜芯本体由以下重量份百分比元素组成:碳0.03%-0.06%,镁0.05%-0.08%,硫0.03%-0.07%,铬0.02%-0.04%,锰0.02%-0.06%,锌0.03%-0.08%,硅0.04%-0.09%,钴0.01%-0.03%,硼0.02%-0.05%,镍0.10%-0.12%,余量为铜;

通过在铜芯本体上添加少量碳、镁、硫、铬、锰、锌、硅、钴等微量元素并控制各元素含量增加该接线端子延展性,克服了纯铜芯延展性差缺陷。

所述过渡层为碳化硅层;

所述硅层由以下重量份百分比元素组成:氢0.2%-0.8%,氮1.4%-1.8%,氧0.5%-0.8%,氟0.1%-0.4%,钾0.2%-0.3%,余量为硅。

当通过该接线端子电流一定时,所述铜芯本体、过渡层、硅层厚度比为(10-20)∶0.6∶1.2。

所述过渡层、硅层厚度与通过该接线端子的电流成线性关系,其变化比例为通过该接线端子电流每增加10A,缓冲层、硅层厚度分别相应增加0.5mm、1.0mm,从而依据该接线端子所承载的电流制作合适厚度的过渡层与硅层。

进一步在所述硅层外壁涂覆一层绝缘层,所述绝缘层由以下重量份的原料配比制成:聚芳酯40-50份,珠光粉2-4份,丙烯酸酯共聚物15-20份,氯化聚乙烯10-20份,聚芳酯12-18份,聚邻苯二甲酰胺6-10份,果冻蜡5-8份,钛白粉5-8份。

本发明的有益效果为:通过在铜芯本体背面和侧面上表面先溅射一层过渡层再蒸镀一层硅层,使得铜芯本体与硅层具有很好的兼容性,克服了金属铜与硅的晶格失配等缺陷,铜为良好的导体,硅为半导体,硅的电阻率要显著高于铜,在铜芯本体背面和侧面上蒸镀硅层,可以在不影响正常输电情况下保证用电安全,防止漏电的发生,特别是暴露在户外的接线端子;所述硅层外壁涂覆绝缘层可以进一步防止漏电,增加安全性和稳定性;本发明的接线端子制备方法简单,可以先通过在铜芯本体正面、背面和侧面溅射过渡层再蒸镀硅层,最后再将正面进行打磨使铜芯本体露出即可。

附图说明

图1为本发明接线端子横截面图。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合实施例,进一步阐述本发明。

如图1所示,一种防漏电铜芯接线端子,所述接线端子包括铜芯本体1,铜芯本体1由正面2、背面3和侧面4组成,正面1为使用面,背面3、侧面4分别溅射过渡层5,过渡层5上蒸镀硅层6。

实施例1

所述铜芯本体由以下重量份百分比元素组成:碳0.03%,镁0.05%,硫0.03%,铬0.02%,锰0.02%,锌0.03%,硅0.04%,钴0.01%,硼0.02%,镍0.1%,余量为铜;

所述过渡层为碳化硅层;

所述硅层由以下重量份百分比元素组成:氢0.2%,氮1.4%,氧0.5%,氟0.1%,钾0.2%,余量为硅。

实施例2

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