[发明专利]发光电路、电子装置、薄膜晶体管及其制备方法有效
申请号: | 201710329943.2 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107086227B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 顾鹏飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 电路 电子 装置 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
一种发光电路、电子装置、双栅薄膜晶体管及其制备方法。该发光电路包括:双栅薄膜晶体管以及发光元件,其中,所述双栅薄膜晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一电极和第二电极,所述发光元件包括第一端和第二端;所述第一栅极和所述第二栅极配置为电连接到不同的信号线,所述第一电极配置为电连接到第一电源端,所述第二电极电连接到所述发光元件的第一端,所述发光元件的第二端配置为电连接到第二电源端;仅当所述第一栅极和第二栅极上同时接收导通信号时,所述双栅薄膜晶体管导通以驱动所述发光元件。本公开提供的发光电路可以简化电路结构并降低成本。
技术领域
本发明的实施例涉及一种发光电路、电子装置、薄膜晶体管及其制备方法。
背景技术
AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode,有源矩阵有机发光二极管)是一种自发光显示器。与传统的液晶面板相比,AMOLED显示面板具有反应速度更快、对比度更高、视角更广等优点。因此,AMOLED得到了越来越广泛的应用。
AMOLED显示面板使用的像素电路通常为2T1C像素电路,即利用两个 TFT(Thin-film transistor,薄膜晶体管)和一个存储电容Cs来实现驱动OLED 的基本功能。图1示出了该2T1C像素电路的示意图。如图1所示,该2T1C像素电路包括开关(SW)TFT、驱动(DR)TFT以及存储电容Cs。例如,该 SW TFT的栅极连接栅线(扫描线)以接收扫描信号(G1),例如源极连接到数据线以接收数据信号(DATA),漏极连接到DR TFT的栅极;DR TFT的源极连接到第一电源端(VDD),漏极连接到OLED的正极;存储电容Cs的一端连接到SW TFT的漏极以及DRTFT的栅极,另一端连接到DR TFT的漏极以及 OLED的正极;OLED的负极连接到第二电源端(VSS),例如接地。该2T1C 像素电路的驱动方式是将像素的明暗(灰阶)经由两个TFT和存储电容Cs来控制。当通过栅线施加扫描信号G1以开启SW TFT时,外部电路通过数据线送入的数据电压(DATA)将经由SW TFT对存储电容Cs充电,由此将数据信号存储在存储电容Cs中,且此存储的电压信号控制DR TFT导通程度,由此控制流过DR TFT以驱动OLED发光的电流大小,即此电流决定AMOLED的像素发光的灰阶。
发明内容
本发明至少一实施例提供一种发光电路,包括:双栅薄膜晶体管以及发光元件,其中,所述双栅薄膜晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一电极和第二电极,所述发光元件包括第一端和第二端;所述第一栅极和所述第二栅极配置为电连接到不同的信号线,所述第一电极配置为电连接到第一电源端,所述第二电极电连接到所述发光元件的第一端,所述发光元件的第二端配置为电连接到第二电源端;仅当所述第一栅极和第二栅极上同时接收导通信号时,所述双栅薄膜晶体管导通以驱动所述发光元件。
本发明至少一实施例提供的一种发光电路,还包括第一电容和/或第二电容,其中,所述第一电容的第一端电连接到所述第一栅极,所述第一电容的第二端连接到所述发光元件的第一端;所述第二电容的第一端连接到所述第二栅极,所述第二电容的第二端连接到所述发光元件的第一端。
本发明至少一实施例提供的一种发光电路中,所述双栅薄膜晶体管为双顶栅薄膜晶体管。
本发明至少一实施例还提供一种电子装置,包括上述任一所述的发光电路。
本发明至少一实施例提供的一种电子装置,还包括栅极驱动电路和数据驱动电路,其中,所述发光电路的双栅薄膜晶体管中,所述第一栅极配置为接收所述栅极驱动电路施加的栅极信号,所述第二栅极配置为接收所述数据驱动电路施加的数据信号。
本发明至少一实施例还提供一种发光电路的驱动方法,包括:在所述第一栅极上施加固定电压的驱动信号,在所述第二栅极上施加变动电压的驱动信号,以使得所述双栅薄膜晶体管导通以驱动所述发光元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的