[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，包括：阵列基板、设置在所述阵列基板上的显示器件，所述显示器件沿远离所述阵列基板的方向依次包括：透明的阳极，有机发光层和阴极，其特征在于，所述显示基板还包括：

位于所述阵列基板和所述阳极之间的折射薄膜，所述折射薄膜能够使所述有机发光层出射的光线在所述阳极和所述折射薄膜的交界处发生折射。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示器件为OELD器件，所述阴极为金属电极。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述折射薄膜至少包括第一折射层和第二折射层，所述第二折射层位于所述第一折射层和所述阳极之间，所述第一折射层的折射率小于所述第二折射层的折射率。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一折射层的折射率为1.6-1.7，所述第二折射层的折射率为1.7～1.9。

5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述折射薄膜采用折射率大于阈值的聚合物材料制成；或由掺杂有TiO₂纳米颗粒的硅制成。

6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：

位于所述阵列基板背向所述阳极一侧的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜远离所述阵列基板的部分的折射率小于所述二氧化硅薄膜靠近所述阵列基板的部分的折射率。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述二氧化硅薄膜至少包括第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层位于所述第一二氧化硅层和所述阵列基板之间，所述第一二氧化硅层的折射率小于所述第二二氧化硅层的折射率。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一二氧化硅层的折射率为1.1～1.2，所述第二二氧化硅层的折射率为1.3～1.4。

9.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，从靠近所述阵列基板的一侧到远离所述阵列基板的一侧的方向上，所述二氧化硅薄膜的折射率逐渐减低。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的显示基板。

11.一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括：阵列基板、设置在所述阵列基板上的显示器件，所述显示器件沿远离所述阵列基板的方向依次包括：透明的阳极，有机发光层和阴极，其特征在于，所述制作方法包括：

在所述阵列基板和所述阳极之间制备折射薄膜，所述折射薄膜能够使所述有机发光层出射的光线在所述阳极和所述折射薄膜的交界处发生折射。

12.根据权利要求11所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述阵列基板背向所述阳极的一侧沉积二氧化硅薄膜，其中，沉积所述二氧化硅薄膜远离所述阵列基板的部分时的倾斜角度大于沉积所述二氧化硅薄膜靠近所述阵列基板的部分时的倾斜角度，所述倾斜角度为沉积方向与垂直于阵列基板的法线之间的夹角。