[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置，该方法包括：形成平坦化层；在平坦化层上形成透明导电氧化物层和金属层；在金属层上涂布光刻胶，并对光刻胶进行构图，形成光刻胶全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶全去除区；刻蚀掉光刻胶全去除区内的金属层；采用灰化工艺，去除光刻胶半保留区内的全部光刻胶以及光刻胶全保留区域的部分光刻胶；刻蚀掉光刻胶全去除区内的透明导电氧化物层，形成透明导电氧化物层图形；刻蚀掉光刻胶半保留区内的金属层，形成金属层图形；剥离光刻胶全保留区内的光刻胶。本发明中，在进行灰化工艺之前，并不湿刻掉光刻胶全去除区内的透明导电氧化层，在进行灰化工艺时，透明导电氧化层对平坦化层进行保护。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

液晶显示器(LCD)阵列基板中，基于电容的考虑，会在源漏金属层图形上方形成平坦化层，然后在平坦化层上方形成透明导电氧化物层图形(像素电极或公共电极)，并在透明导电氧化物层图形上方形成金属层图形。考虑到成本原因，在制作透明导电氧化物层图形和金属层图形时，应尽量采用HTM(半色调掩膜，Half Tone Mask)工艺。

相关的HTM工艺的流程步骤如下：

步骤11：在平坦化层上依次形成透明导电氧化物层和金属层；

步骤12：在所述金属层上涂布光刻胶(PR)，并采用半色调掩膜版，对所述光刻胶进行构图，形成光刻胶全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶全去除区；

步骤13：刻蚀掉所述光刻胶全去除区的金属层；

步骤14：刻蚀掉所述光刻胶全去除区内的透明导电氧化物层，形成透明导电氧化物层图形；

步骤15：采用灰化(ashing)工艺，去除所述光刻胶半保留区内的全部光刻胶以及所述光刻胶全保留区域的部分光刻胶；

步骤16：刻蚀掉所述光刻胶半保留区内的金属层，形成金属层图形；

步骤17：剥离所述光刻胶全保留区内的光刻胶。

上述步骤15中，灰化工艺中使用的气体通常为O2(氧气)，O2产生的游离态氧原子以及氧离子作用在光刻胶上使其减薄。平坦化层和光刻胶通常采用有机树脂制成，所以在灰化过程中，氧气对两种物质的刻蚀速率相似。相似的刻蚀速率造成平坦化层在灰化后损伤较大。平坦化层被损伤后会影响设计标准，降低显示效果。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置，用于解决平坦化层在灰化过程产生的损伤问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：

形成平坦化层；

在所述平坦化层上依次形成透明导电氧化物层和金属层；

在所述金属层上涂布光刻胶，并采用半色调或灰色调掩膜版，对所述光刻胶进行构图，形成光刻胶全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶全去除区；

刻蚀掉所述光刻胶全去除区内的金属层；

采用灰化工艺，去除所述光刻胶半保留区内的全部光刻胶以及所述光刻胶全保留区域的部分光刻胶；

刻蚀掉所述光刻胶全去除区内的透明导电氧化物层，形成透明导电氧化物层图形；

刻蚀掉所述光刻胶半保留区内的金属层，形成金属层图形；

剥离所述光刻胶全保留区内的光刻胶。

优选地，所述平坦化层和所述光刻胶均采用有机树脂制成。

优选地，所述灰化工艺中采用的作用气体包括氧气。