[发明专利]存储设备、存储模块和存储设备的操作方法在审
申请号: | 201710328968.0 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107491397A | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 文盛业 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F12/08 | 分类号: | G06F12/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 设备 模块 操作方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年6月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0070997号的优先权的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及一种半导体存储设备,并且更具体地,涉及一种作为缓存存储器操作的存储设备和存储模块,以及该存储设备的操作方法。
背景技术
在计算系统中,缓存存储器用于减少由于主存储器的长访问延迟而导致的性能恶化。随着主存储器的容量增加,缓存存储器的容量也增加。因此,能够被实现为具有高容量的存储器,诸如动态随机存取存储器(DRAM),可以用作缓存存储器。
发明内容
本公开提供了一种动态地改变缓存策略的存储设备和存储模块,以及存储设备的操作方法。
根据本发明构思的一个方面,提供了一种存储设备,所述存储设备包括单元阵列、缓存策略设置电路和缓存逻辑,所述单元阵列存储多条缓存线和对应于多条缓存线的多个标签,所述缓存策略设置电路从多个管理策略选择至少一个管理策略并基于至少一个选择的管理策略设置缓存策略,所述缓存逻辑基于缓存策略管理多条缓存线。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种存储模块,所述存储模块包括多个第一存储设备和第二存储设备,所述多个第一存储设备存储多条缓存线,所述第二存储设备存储对应于多条缓存线的多个缓存标签,从多个管理策略中选择至少一个管理策略作为缓存策略,以及基于缓存策略和多个缓存标签来管理多条缓存线。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种存储设备的操作方法,所述操作方法包括:基于预设的缓存策略来管理多条缓存线,基于从外部设备接收的命令,通过从多个管理策略中选择一个管理策略作为缓存策略来改变缓存策略,以及基于改变的缓存策略来管理多条缓存线。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种存储设备的操作方法,所述操作方法包括:基于预设缓存策略来管理多条缓存线;从存储设备外部的存储控制器接收缓存策略设置命令;当基于所接收的缓存策略设置命令的缓存策略与预设缓存策略不同时,通过从多个管理策略中选择管理策略作为用于操作存储设备的新缓存策略来改变预设缓存策略;以及基于新的缓存策略来管理所述多条缓存线。
附图说明
从下面结合附图的详细描述中将更清楚地理解本发明构思的实施例,在附图中:
图1是根据示例性实施例的电子系统的示意性框图;
图2是根据示例性实施例的存储系统的框图;
图3是根据示例性实施例的存储设备的框图;
图4A是用于描述图1的缓存存储器和主存储器的数据映射的视图;
图4B是用于访问图1的缓存存储器的地址结构的示例的视图;
图5A和5B是根据示例性实施例的缓存策略设置电路的框图;
图6是图5B的监控电路的实施例的框图;
图7A和7B是用于描述根据示例性实施例的存储设备的操作的视图;
图8至图11是根据示例性实施例的存储设备的操作的流程图;
图12是根据示例性实施例的存储系统的操作的流程图;
图13和图14是根据示例性实施例的存储设备的电路图;
图15是根据示例性实施例的存储模块的视图;
图16和图17是根据示例性实施例的存储模块的操作的流程图;
图18是根据示例性实施例的存储模块的视图;
图19是根据示例性实施例的存储模块的视图;
图20至22是根据示例性实施例的计算系统的框图;以及
图23是根据示例性实施例的移动系统的框图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开,在附图中示出了各种实施例。然而,本发明可以以许多不同的形式实施,并且不应被解释为限于本文所阐述的示例性实施例。这些示例性实施例仅仅是——示例——并且许多实现和变型是可能的,其不需要本文提供的细节。还应该强调的是,本公开提供了替代示例的细节,但是这样的替代列表不是穷尽的。此外,各种示例之间的细节的任何一致性不应被解释为需要这样的细节——列出本文所描述的每个特征的每个可能的变化是不切实际的。在确定本发明的要求时应参考权利要求的语言。
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