[发明专利]一种倒置OLED器件

权利要求书

1.一种倒置OLED器件，其特征在于，包括阴极基底(1)，其上为纳米注入层(2)，在纳米注入层(2)上沉积一层激子隔离层(3)，在激子隔离层(3)上沉积一层电子传输层(4)，所述电子传输层(4)上方次依次为发光层(5)、空穴传输层(6)、空穴注入层(7)、阳极(8)。

2.如权利要求1所述的倒置OLED器件，其特征在于，所述的阴极基底(1)的材质包括ITO、FTO、Si、石墨烯、碳纳米管中的一种，其厚度在100~200 nm。

3.如权利要求1所述的倒置OLED器件，其特征在于，所述的纳米注入层(2)采用真空热蒸发的方式，使用低功函数金属材料制备；厚度在0.25 nm~2 nm，沉积速率为0.02 nm/s；所述的纳米注入层(2)呈不连续的分散的纳米球颗粒形貌。

4.如权利要求1或3所述的倒置OLED器件，其特征在于，所述的纳米注入层(2)层的材质选择Al、Ag、Mg纳米颗粒的一种。

5.如权利要求1所述的倒置OLED器件，其特征在于，所述的激子隔离层(3)为宽禁带有机电子传输材料，其厚度在5~10 nm。

6.如权利要求1或5所述的倒置OLED器件，其特征在于，所述的激子保护层(3)的材质包括BAlQ3、Bphen、BCP、AlQ3、TPBI的一种。

7.如权利要求1所述的倒置OLED器件，其特征在于，所述的电子传输层(4)、发光层(5)、空穴传输层(6)、空穴注入层(7)均采用真空蒸镀的方式制备。

8.如权利要求1所述的倒置OLED器件，其特征在于，所述的阳极(8)采用金属电极、透明金属氧化物或复合阳极，制备成的半透明或全反射的电极薄膜。