[发明专利]一种光电探测器及其应用有效
申请号: | 201710328231.9 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107068785B | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 于浩海;郗淑萌;张怀金;王刚;翁红明;王继扬 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/09 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 刘奇 |
地址: | 250000 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 探测器 及其 应用 | ||
1.一种光电探测器,包括光电转换材料、电极、光源、电压源和电流表;
所述光电转换材料的材质为外尔半金属材料;
所述光电转换材料设置在所述电极之间,与所述电极形成欧姆接触;
所述光电转换材料与所述电极无欧姆接触的一侧设置有所述光源;
还包括导线,所述电极、电压源和电流表通过导线连接,形成回路。
2.根据权利要求1所述的光电探测器,其特征在于,所述外尔半金属材料包括TaAs、NbAs、TaP、NbP、Cd3As2或ZrTe5。
3.根据权利要求1或2所述的光电探测器,其特征在于,所述电极的材质包括铜、金、银、铂或镍。
4.根据权利要求1所述的光电探测器,其特征在于,所述光电转换材料的形状为块体。
5.根据权利要求4所述的光电探测器,其特征在于,所述光电转换材料与所述电极形成欧姆接触的两个接触面是平行的。
6.根据权利要求1所述的光电探测器,其特征在于,所述电压源施加的电压为1nV~1V。
7.权利要求1~6任一项所述的光电探测器在光电探测领域中的应用,其特征在于,所适用的温度为≤300K;所适用的波段为紫外、可见、近红外、中远红外和太赫兹波段。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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