[发明专利]一种寄生参数提取方法

说明书

本发明涉及一种寄生参数提取方法，其特征在于，所述寄生电阻提取方法包括以下步骤：将指定的电阻模型边界划分为若干边界元；将所述电阻模型中的端口和模型边界元都作为端口，计算电阻模型中的端口和/或模型边界元的边界电导矩阵；转换所述边界电导矩阵为马尔可夫转移矩阵，和利用马尔可夫转移矩阵库提取同一工艺制程下的集成电路设计中的寄生电阻。本发明建立的马尔可夫转移矩阵库的模型为基本的导体或端口，能够覆盖电路中所有可能出现的情况，可以完全控制计算过程中的误差，保证了精度与可靠性，能达到非常高的效率。

本发明是申请号码为201510015007.5，申请日为2015年1月13日，申请类型为发明，申请名称为一种基于马尔科夫转移矩阵库的寄生电阻提取方法的分案申请。

技术领域

本发明涉及寄生参数提取领域，尤其涉及一种寄生参数提取方法。

背景技术

互联线寄生参数提取是当今集成电路设计中非常重要的一个环节。集成电路设计者通过寄生参数提取工具软件得到集成电路中互联线上的电阻、电容等寄生参数，再以此来得到该集成电路的时延和功耗，来判断其设计是否在功能、频率和功耗方面达到要求，是否需要对原设计进行改动和优化。事实上，当今的集成电路设计需要多次的设计或设计优化，其寄生参数提取和时延功耗分析才能达到最初的标准，开始进行流片即芯片生产。

22纳米甚至更先进的芯片工艺流程给互联线寄生参数提取带来了巨大的挑战，使集成电路设计者更难设计出更快速，更低功耗的芯片。这个挑战的根源在于寄生参数提取的EDA软件：22纳米工艺流程中的硅片上的各种效应，更高的时钟频率，更大的电路版图和三维集成电路使寄生参数提取软件在精确度、可靠度和运行时间上都有巨大的麻烦。集成电路设计者不得不通过增加其设计的冗余度来应对以上的问题，以保证其设计的可靠性，但这样就降低了设计出的芯片的时钟频率，增加了芯片的功耗。

关于提取寄生电阻参数，传统寄生电阻提取方法分为两类：

1.运用数值方法细分网线，直接求解网线上的稳恒电流场；

2.根据工艺流程生成模型及该模型下的电阻库，再划分电路设计中的网线，利用电阻库对具体的电路设计进行提取。

传统方法1对每个设计的每条网线都要求解稳恒电流场，计算量巨大，特别是网线比较大时。对于当今真实的集成电路设计，无法用此方法在实用的时间进行提取。

传统方法2在每个工艺流程下生成、构造模型及电阻库，再利用电阻库提取真实设计中的电阻。电阻库中的端口或者是真实提取中的端口，或者是网线被划分部分的整个交界面。端口的电位必须是均匀的，而网线被划分部分的交界面上的电位不一定均匀，这就造成了误差。而本发明可以将端口划分成多个边界元，允许同一端口上不同的边界元的电位不等，减小交界面电位不均匀所带来的误差。

审查员在第一次审查意见通知书中提出：由孙泽武等在《复旦学报(自然科学版)》第1期发表的《考虑悬浮哑元的结构化随机行走电容提取算法》公开了一种考虑悬浮哑元的结构化随机行走电容提取算法，并具体提出了一种基于随机行走的寄生电容提取算法，利用区域分解技术，将哑元区域划分为多个子区域，通过对具有相同结构的标准子区域建立宏模型，并计算马尔可夫转移矩阵，利用转移概率实现哑元区域内的“行走”，以提取寄生电容。虽然寄生电容和寄生电阻都属于寄生参数，但是该文章没有公开如何将电阻模型生成马尔可夫转移矩阵的具体内容，因此寄生电容的提取方法并不能解决提取寄生电阻的技术问题。

发明内容

针对现有技术之不足，本发明提出一种基于马尔可夫转移矩阵(Markovtransition matrix)库的寄生电阻提取方法，以提高新工艺制程下的精确度和可靠性，满足目前集成电路设计所面临的更高要求。

一种基于马尔可夫转移矩阵库的寄生电阻提取方法，方法包括以下步骤：

由模型模板和工艺参数文件构造电阻模型；