[发明专利]半导体设备和半导体设备的反应腔室的清理方法

说明书

本发明公开了一种半导体设备和该半导体设备的反应腔室的清理方法，属于半导体制造技术领域。所述半导体设备包括反应腔室，用于容纳待处理晶片，所述半导体设备还包括位于所述反应腔室的侧壁且靠近所述反应腔室顶部的进气清理组件，所述进气清理组件包括至少一个喷嘴，所述喷嘴可沿所述反应腔室的径向伸缩，以调节所述喷嘴伸入到所述反应腔室内部的长度，以清理位于所述反应腔室顶部的残留物。能够有效提高待处理晶片的加工良率，同时，还能够减少反应腔室维护后的恢复时间。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体设备和一种半导体设备的反应腔室的清理方法。

背景技术

一般的，随着电子技术的高速发展，集成电路技术的更新换代也在不断加快，而每个技术代都是以最小特征尺寸的缩小、芯片集成度和硅片尺寸的增加为标志，这就要求生产集成电路的企业不断提高半导体晶片的加工能力。

但是，在集成电路的制造过程中，污染是个不可忽视的因素，据估计约50％的良率损失来源于污染，而颗粒污染又是主要污染源之一。颗粒污染的成因如下：在制成的前段部分，颗粒附于晶片表面，在膜层沉积时成为掩埋缺陷，在刻蚀时该颗粒阻断光刻图案向膜层图案继续转移，在制程的后段部分，颗粒能引起导线的断开和临近接线的导通。一般来说，颗粒尺寸如果超过器件最小特征尺寸的50％，就有导致器件失效的可能。随着持续需求集成电路的微型化及高难度的制作工艺，对颗粒污染的控制是保证生产效率及产品良率的一个必要条件。

具体地，如图1所示，图1为现有技术半导体设备100的结构示意图，包括反应腔室110，设置在反应腔室110底部用于固定待处理晶片的静电卡盘130，位于反应腔室110顶部且与反应腔室100密闭连接的介质耦合窗150和设置在介质耦合窗150上方的线圈140，以及与反应腔室110内部密闭连通的气体源160。在进行刻蚀工艺前，对反应腔室110进行启辉工艺，线圈150产生磁场并通过介质耦合窗150耦合到反应腔室110内部，气体源向反应腔室110内部提供气体，产生等离子体，通过气体吹扫及化学反应等过程去除反应腔室110残留水汽及颗粒污染，重复多次使得反应腔室110状态达到生产要求。

但是，受气体源160的位置和气体扩散方向的双重影响，上述结构的半导体设备100，无法对反应腔室110顶部颗粒进行快速有效清除，随着工厂持续生产反应腔室110顶部也会产生以及附着颗粒，若在刻蚀过程中这些颗粒掉落在晶圆表面后，晶圆会产生部分刻蚀缺陷，且该刻蚀缺陷的尺寸较大，从而严重影响产品良率。

因此，如何对半导体设备的反应腔室的顶部的颗粒污染实现有效清理成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备和一种半导体设备的反应腔室的清理方法。

为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供一种半导体设备，所述半导体设备包括反应腔室，用于容纳待处理晶片，所述半导体设备还包括位于所述反应腔室的侧壁且靠近所述反应腔室的顶部的进气清理组件，所述进气清理组件包括至少一个喷嘴，所述喷嘴可沿所述反应腔室的径向伸缩，以调节所述喷嘴伸入到所述反应腔室内部的长度，以清理位于所述反应腔室顶部的残留物。

优选地，所述进气清理组件还包括至少一个固定件；

所述喷嘴包括螺纹部和与所述螺纹部连接的喷嘴部；

每个所述固定件对应一个所述喷嘴，且所述固定件内设置有与所述螺纹部相匹配的螺纹孔，部分所述螺纹部设置在所述螺纹孔中；

所述进气清理组件还包括至少一个驱动马达，每个驱动马达对应一个所述喷嘴且与其所对应的喷嘴的位于所述螺纹孔外侧的螺纹部连接，以驱动所述螺纹部旋转，带动所述喷嘴沿所述反应腔室的径向移动，以改变伸入到所述反应腔室内部的喷嘴的长度；

其中，所述固定件沿所述反应腔室的径向无相对移动。