[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供一种晶片的加工方法，能够对晶片进行分割以使得不在器件芯片的角产生亏缺。将对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束从晶片的背面(W2)定位在晶片的内部而沿着第1间隔道(L1)和第2间隔道(L2)进行照射从而在晶片的内部形成改质层(R)。在改质层的形成之后，通过从晶片的背面进行磨削的磨削动作而以改质层为起点将晶片沿着第1间隔道和第2间隔道分割成器件芯片(DC)。在改质层的形成中，在将第1间隔道定位在X轴方向上而照射激光束时，按照相邻的每个器件(D)在第1间隔道内沿Y轴方向错开规定的间隔而形成改质层。由此，相邻的器件芯片的角彼此在分割时不会在对角线上摩擦。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将晶片分割成多个器件芯片。

背景技术

例如，当利用切削刀具对具有300【μm】以上的比较厚的厚度的晶片进行切割时，存在背面崩边变大的问题。因此，提出了使用将激光加工和磨削加工组合的SDBG(StealthDicing Before Grinding：磨削前隐形切割)的方法(例如，参照专利文献1)。在SDBG中，沿着晶片的分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的规定的深度的位置形成强度降低的改质层。之后，通过对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化至完工厚度，并且利用磨削压力以改质层为分割起点将晶片分割成各个器件芯片。

专利文献1：国际公开第2003/077295号

但是，当通过SDBG在晶片的内部形成改质层之后分割成各个芯片时，由于在芯片的对角线方向相邻的角部之间没有间隔，所以存在因芯片的角部彼此摩擦而容易在角部产生亏缺的问题。

发明内容

本发明是鉴于该点而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，能够对晶片进行分割以使得不在各个器件芯片的角产生亏缺。

关于本发明的晶片的加工方法，晶片在晶片正面上具有由形成于一个方向上的多条第1间隔道和形成于与第1间隔道垂直的方向上的多条第2间隔道划分的多个器件，该晶片的加工方法利用激光加工装置沿着第1间隔道和第2间隔道将晶片分割成器件芯片，激光加工装置具有：保持工作台，其对晶片进行保持；激光束照射构件，其对保持在保持工作台上的晶片照射激光束；加工进给构件，其对保持工作台和激光束照射构件相对地在X轴方向上进行加工进给；分度进给构件，其对保持工作台和激光束照射构件相对地与间隔道的间隔对应地在Y轴方向上进行分度进给；以及控制构件，其对各构成要素进行控制，晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：保持步骤，将正面侧粘贴有保护带的晶片保持在保持工作台上；改质层形成步骤，在实施了保持步骤之后，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面定位在晶片的内部而沿着第1间隔道和第2间隔道进行照射从而在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施了改质层形成步骤之后，通过磨削构件从晶片的背面进行磨削而使晶片薄化至完工厚度，并且通过磨削动作以所述改质层为起点沿着第1间隔道和第2间隔道对晶片进行分割，在改质层形成步骤中，至少在将第1间隔道定位在X轴方向上而照射激光束时，按照相邻的每个器件在第1间隔道内在Y轴方向上错开规定的间隔而形成改质层，以使得相邻的器件芯片的角彼此不会在分割时在对角线上摩擦。

根据该结构，在改质层形成步骤中，由于按照相邻的每个器件沿分度进给方向错开规定的间隔而形成非连续的改质层，所以能够在器件芯片的沿芯片的对角线方向相邻的角之间形成间隔。由此，能够减少在分割步骤中器件芯片的角彼此摩擦，能够减少角处的亏缺。

根据本发明，能够对晶片进行分割以使得不在器件芯片的角产生亏缺。

附图说明

图1是本实施方式的被加工物的概略立体图。

图2是本实施方式的激光加工装置的概略立体图。

图3是示出本实施方式的保持步骤的说明图。

图4是示出本实施方式的改质层形成步骤的说明图。

图5是示出本实施方式的改质层形成步骤的说明图。