[发明专利]太阳能电池硅片的处理方法

权利要求书

1.一种太阳能电池硅片的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)使用碱溶液在40-90℃下对硅片表面进行化学腐蚀处理，以除去所述硅片表面的损伤层；

(2)将步骤(1)处理后的硅片在5-40℃下浸入第一处理液中进行挖孔处理，然后在10-40℃下浸入第二处理液中进行脱洗贵金属处理，其中，所述第一处理液包括氢氟酸、过氧化氢、贵金属离子和水，所述第二处理液包括氨水和水；

(3)将步骤(2)处理过的硅片水洗后在20-40℃下浸入第三处理液中进行扩孔处理，所述第三处理液包括氢氟酸、硝酸和水；

(4)将步骤(3)处理后的硅片水洗后浸入第四处理液中进行修饰处理，所述第四处理液包括碱和水；

(5)将步骤(4)处理过的硅片水洗后在40-90℃下浸入盐酸和过氧化氢水溶液的混合溶液中以除去残余金属离子，水洗，然后在20-40℃下浸入氢氟酸的水溶液中以除去氧化层，水洗、烘干。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池硅片的处理方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述硅片的晶型为单晶、多晶或类单晶。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池硅片的处理方法，其特征在于：在步骤(1)中，碱为氢氧化钠、氢氧化钾和四甲基氢氧化铵中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池硅片的处理方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述贵金属离子为金离子、银离子、铂离子和钯离子中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池硅片的处理方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述第一处理液还包括第一添加剂，所述第一添加剂为聚丙烯酸、聚D，L-乳酸、聚乙烯醇和氟碳表面活性剂中的一种或几种。

6.根据权利要求1或5所述的太阳能电池硅片的处理方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述第一处理液中氢氟酸的质量分数为5-20％，过氧化氢的质量分数为0.1-10％。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池硅片的处理方法，其特征在于：在步骤(3)中，所述第三处理液还包括第二添加剂，所述第二添加剂为聚乙烯醇、三乙醇胺、酒石酸、硅烷偶联剂、丙烯酸共聚物、氟改性丙烯酸共聚物、聚二甲基矽氧烷和聚醚改性聚二甲基矽氧烷中的一种或几种。

8.根据权利要求1或7所述的太阳能电池硅片的处理方法，其特征在于：在步骤(3)中，所述第三处理液中氢氟酸的质量分数为1-10％，硝酸的质量分数为10-40％。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池硅片的处理方法，其特征在于：在步骤(4)中，所述第四处理液还包括第三添加剂，所述第三添加剂为醋酸乙烯、葡萄糖、丙烯酸共聚物、18-冠醚-6、15-冠醚-5、12-冠醚-4、乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚、丙二醇丙醚、丙二醇甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇丙醚和三丙二醇甲醚中的一种或几种。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池硅片的处理方法，其特征在于：在步骤(5)中，混合溶液中盐酸的质量分数为3-7％，过氧化氢的质量分数为2-5％。